The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-06-12
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Si nanocrystal (NC) embedded into the SiO2 matrix was made by SiO/SiO2 superlattice method.
Here we investigate the storage phenomena of MOS structure having Si NC inside the dielectric layer by high frequency C-V method and DLTS.
DLTS treated the individual Si NC as a single point deep level defect in the oxide and revealed essences of Si NC storage, such as a large capture cross section at about 1–7 × 10−13 cm2 and potential barrier at about 1.6 eV.
These two properties we observed are consistent with Si NC dimensions of 5–7 nm in the planar TEM image, and previous I-V characterization in the MOS-like structure.
These results are helpful to understand the principle of charge storage of this structure and optimize the performance of real Si NC device.
The trapping mechanism in MOS systems containing Si NCs is related to the quantum levels of the Si NC band structure at around 300 K.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lv, Tiezheng& Zhao, Lili. 2014. The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041861
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lv, Tiezheng& Zhao, Lili. The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041861
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lv, Tiezheng& Zhao, Lili. The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041861
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041861
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر