Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition

المؤلف

Ali, Muhammad M.

المصدر

Journal of Basrah Researches : Sciences

العدد

المجلد 37، العدد 3A (30 يونيو/حزيران 2011)8ص.

الناشر

جامعة البصرة كلية التربية للعلوم الصرفة

تاريخ النشر

2011-06-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

8

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

الملخص AR

حضرة (رسبت) الأغشية الرقيقة لمركب ZnO على القواعد الزجاجية باستعمال تقنية الترسيب الكيمائي CBD بدرجة حرارة ترسيب 80Oc، بعدها تمت معاملة تلك الأغشية حراريا بدرجات حرارية مختلفة (عملية التلدين) 300oC و 350oC و 400oC في الهواء.

تم تحليل التركيب البلوري للأغشية المحضرة و الملدنة عن طريق حيود الأشعة السينية XRD و تبين أن الأغشية متناسقة و ناعمة و متعدددة التبلور و تمتلك طورا واحدا فقط و هو التركيب البلوري السدادسي Hexagonal بدون حدوث أي تغيير في التركيب البلوري على طول فترة التحضيرات و التي رافقتها عملية التلدين.

إن معدل الحجم الحبيبي لتلك الأغشية هو 36.340nm و المحسوب عن طريق استعمال علاقة ديباي –شيرر و ذلك من خلال حيود الأشعة السينية، و بعد أجراء عملية التلدين فإن معدل االحجم الحبيبي أصبح 32.420nm و 60.993nm و 34.067nm على التوالي.

قيست الامتصاصية الضوئية للأغشية باستعمال مدى المطيافية UV-VIS-NIR من الضوء و تبين أن لها سمة الانتقال المباشر مع فجوة طاقة 3.32eV للأغشية المرسبة بدرجة حرارة 80oC و للأغشية الملدنة كانت 3.12eV و 3.04eV و 3.10eV على التوالي.

الملخص EN

The ZnO thin films were prepared by chemical bath deposition technique using glass substrates with bath temperature 80oC and annealing temperatures 300oC, 350oC and 400oC.

The Xray diffraction analysis shows that the prepared samples are polycrystalline and it exhibits hexagonal structure along with c-axis orientation.

The average grain size of ZnO thin films was found to be 63.340 nm as calculated by XRD using Debye Scherer’s formula.

After annealing the films in air the grain size was 32.420nm, 60.993nm and 34.067nm respectively.

The optical absorbance of the deposited films was characterized by UV-VIS-NIR spectrometry and shows the presence of direct transition with band gap energy 3.32eV and after annealing, it decreases to 3.12eV, 3.04eV and 3.10 eV respectively.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Ali, Muhammad M.. 2011. Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition. Journal of Basrah Researches : Sciences،Vol. 37, no. 3A.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286754

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Ali, Muhammad M.. Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition. Journal of Basrah Researches : Sciences Vol. 37, no. 3A (Jun. 2011).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286754

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Ali, Muhammad M.. Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition. Journal of Basrah Researches : Sciences. 2011. Vol. 37, no. 3A.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286754

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-286754