تصنيع ودراسة مميزات التيار-الفولتية (I-V) لترانزستور تأثير المجال معدن-أوكسيد-شبه موصل MOSFET
العناوين الأخرى
The development and studies the current-voltage (I-V) characteristics for the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor MOSFET
المؤلفون المشاركون
عادل حبيب عمران
إحسان محسن عباس
عبيد، ياسين نجم
الرواس، أطياف صبحي
نعيمة هادي علي
المصدر
العدد
المجلد 3، العدد 1 (30 يونيو/حزيران 2011)، ص ص. 12-19، 8ص.
الناشر
جامعة الكوفة كلية العلوم قسم الفيزياء
تاريخ النشر
2011-06-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
يتضمن البحث تصنيع ترانزستور تأير مجال معدن –أوكسيد-شبه-موصل MOSFET بطريقة الطبع الضوئي و دراسة مميزات التيار–الفولتية (I-V) و حساب بعض المتغيرات الفيزياوية له.
الترانزستور المصنع باستعمال السيليكون الموجب (p-type Si) ذي قتاة من نوع n MOSFET) n-) طولها (L = 50 μm) و عرضها (Z = 1000 μm).
أظهرت النتائج أن مميزات الاخراج للترانزستور (ID-VD) و مميزات الانتقال (ID- VG) تتفق مع السلوك النظري للترانزستور، و أنه من النوع المفتوح عادة (normally–on) النضوب (deletion) و أن جهد الخنق له يساوي (-4volt).
الملخص EN
This paper contain the preparation of metal-oxide- semiconductor field- effect transistor MOSFET by using the lightography technique.
In this work we studied (IV) characteristics and also some physical variables for transistor calculated.
The prepared transistor by using p- type silicon as a substrate has n-type channel (nMOSFET) its length and width equal to L=50 μm ,Z = 1000μm .
The results showed that the output characteristics (ID-VD) and the trasfer charasteristics (IDVG) was in agreement with the theoretical behaviour of the transistor , and the transistor is from the normally – on type nMOSFET depletion mode , with pinch – off voltage equal to -4 volt .
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
عادل حبيب عمران وإحسان محسن عباس وعبيد، ياسين نجم والرواس، أطياف صبحي ونعيمة هادي علي. 2011. تصنيع ودراسة مميزات التيار-الفولتية (I-V) لترانزستور تأثير المجال معدن-أوكسيد-شبه موصل MOSFET. مجلة الكوفة للفيزياء،مج. 3، ع. 1، ص ص. 12-19.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-315577
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
عادل حبيب عمران....[و آخرون]. تصنيع ودراسة مميزات التيار-الفولتية (I-V) لترانزستور تأثير المجال معدن-أوكسيد-شبه موصل MOSFET. مجلة الكوفة للفيزياء مج. 3، ع. 1 (2011)، ص ص. 12-19.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-315577
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
عادل حبيب عمران وإحسان محسن عباس وعبيد، ياسين نجم والرواس، أطياف صبحي ونعيمة هادي علي. تصنيع ودراسة مميزات التيار-الفولتية (I-V) لترانزستور تأثير المجال معدن-أوكسيد-شبه موصل MOSFET. مجلة الكوفة للفيزياء. 2011. مج. 3، ع. 1، ص ص. 12-19.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-315577
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
العربية
الملاحظات
يتضمن مراجع ببليوجرافية : ص. 18-19
رقم السجل
BIM-315577
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر