الخواص التركيبية و البصرية للأغشية الرقيقة لBi2Se3 المحبرة بطريقة الترسيب في الحوض الكيميائي

الملخص AR

جرى تحضير الأغشية الرقيقة لـ Bi2Se3 على أرضيات زجاجية بسمك يتراوح من 14 ± 80 إلى 14 ± 172 نانومتر من المحلول المائي للحوض عند درجة حرارة 293 كلفن لمدة تغطيس من نصف ساعة إلى ستة ساعات باستخدام طريقة الترسيب في الحوض الكيميائي.

جرى تشخيص الأغشية الرقيقة بتقنيات حيود الأشعة السينية و فلورة الأشعة السينية و بقياسات أطياف النفاذية ضمن المدى من 350-1400 نانومتر عند درجة حرارة 293 كلفن.

و تبين أن الأغشية المحضرة هي عشوائية التركيب و تتحول إلى حالة التعدد البلوري بعد المعاملة الحرارية بدرجة حرارة 373 كلفن لمدة نصف ساعة، و لكن أدت هذه المعاملة الحرارية عند درجة حرارة 423 كلفن إلى تلف هذه الأغشية و كانت فجوة الطاقة البصرية للأغشية تتراوح من 0.05 ± 1.55 إلكترون فولت إلى 0.05-1.5 إلكترون فولت مع زيادة مدة التعطيس من نصف ساعة إلى ست ساعات مع نوع الانتقال المباشر المسموح.

إن إضافة 2 مل من الهيدرازين للمحلول المائي في الحوض جعل سمك الغشاء المرسب يزداد باستمرار مع زيادة مدة الترسيب إلى ست ساعات و أدى ذلك إلى تقليل مدة الترسيب للحصول على غشاء بسمك محدد، كما قلت فجوة الطاقة البصرية للأغشية و تراوحت من 1.4-1.38 إلكترون فولت لمدة التغطيس المذكورة آنفا.