تأثير أشعة جاما على الخواص الكهربية لترانزستور تأثير المجال الوصلي و معدن-أكسيد-شبه الموصل

العناوين الأخرى

Effects of gamma irradiation on the electrical properties of field effect transistor junction and metal-oxide-semiconductor

مقدم أطروحة جامعية

مصلح، خالد محمد الحاج

مشرف أطروحة جامعية

بابكر، كمال الدين علي حمد

الجامعة

جامعة أم درمان الإسلامية

الكلية

كلية العلوم و التقانة

القسم الأكاديمي

قسم الفيزياء

دولة الجامعة

السودان

الدرجة العلمية

دكتوراه

تاريخ الدرجة العلمية

2012

الملخص العربي

أشعة جاما المنبعثة من جهاز الكوبالت ستين لها عدة ميزات مما جعل لها أهمية كبير عند التأثير على نماذج من ترانزستورات تأثير المجال الوصل و ذات الأكسيد المعدني و بتشعيعها بجرعات مختلفة و قياس خصائصها بطريقة توصيل المصدر المشترك اتضح أن لأشعة جاما تأثير على هذه القطع و هذا التأثير يختلف حسب كمية الجرعة الإشعاعية و الموضع الذي سقطت عليه داخل الترانزستور و كذلك تختلف حسب الخصائص العامة و الخصائص التصنيعية لكل نوع من الترانزستورات.

هذا التأثير أحدث تغيرات واضحة في منحنيات المصرف مثل تناقص تيار المصرف مع زيادة الجرعات الإشعاعية، و بالتالي تنقص تبعا لذلك الموصلية و تكبير القدرة و تكبير التيار و جهد التشغيل أو ناقلية العبور و تقل سعة منطقة التشغيل الأومية.

و بالتالي يحدث تزايد في ربح الجهد و المقاومة المكافئة للترانزستور و ذلك على الأنواع ذات الأكسيد المعدني سالب القناة الثاني و موجب القناة، الوصل سالب القناة و هناك حالة شاذة عند الجرعة واحد ميلي جراي حيث حدث عندها العكس.

و كان الوضع مخالف تماما بالنسبة للنوع ذات الأكسيد المعدني سالب القناة.

و تفسر تلك التغيرات و النتائج لاختلاف في تركيب الأنواع الأربعة و لاختلاف في عدد الفوتونات المسلطة على المادة و بتأثيرها على المادة بالإلكترونات الثانوية و الناتجة من العمليات الثلاثة الأساسية و التي تحدث بنسب مختلفة.

أما عند سقوطها على الشوائب أو مادة الأكسيد فإن اختلاف تأثير الجرعات سببه الخصائص التصنيعية للترانزستور.

تعمل أشعة جاما على حث الإلكترونات للنزول من منطقة التوصيل إلى منطقة التكافؤ لعملية إعادة الإتحاد.

في منطقة الاستنزاف و منطقة الأساس والبوابة أدى إلى إنتاج إلكترونات و عند حركتها أعيد توحيدها مع حاملات الشحنة فأدى ذلك إلى نقصان في الحاملات و هذا أثر على بقية خصائص الترانزستور.

و سقوط الفوتونات أحدث تأين في حالات أخرى بسبب قلة كثافة الفوتونات الساقطة فأصبح التأثير للتأين أكبر منه لإعادة الإتحاد.

و تؤثر الجرعات الإشعاعية على الفترة الزمنية لبقاء الإلكترونات أو الفجوات في نطاق التهيج فتؤدي إلى انخفاض عمر حاملات الشحنة نتيجة التشعيع. و تأثير التشعيع على التيار و الجهد يسبب تلف الأجهزة عند تعرضها للتشعيع نتيجة إلى نقص أو زيادة التيار، أو تقل كفاءتها.

كما يؤثر التشعيع على الفترة الزمنية للتشغيل أو الإطفاء.

و عليه فأن التشعيع الكثيف لأجهزة أشباه الموصلات يؤدي إلى تدهور الخصائص و نقص في الكفاءة فتسبب الضوضاء و تموج الإشارات، فتصبح غير مناسبة لما وضعت له.

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

عدد الصفحات

177

قائمة المحتويات

فهرس المحتويات / الموضوعات.

الملخص / المستخلص.

الباب الأول : المقدمة.

الباب الثاني : الدراسات السابقة و النظرية.

الباب الثالث : طرق و مواد و وسائل البحث.

الباب الرابع : النتائج و المناقشات.

الباب الخامس : الخلاصة و التوصيات.

قائمة المراجع.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

مصلح، خالد محمد الحاج. (2012). تأثير أشعة جاما على الخواص الكهربية لترانزستور تأثير المجال الوصلي و معدن-أكسيد-شبه الموصل. (أطروحة دكتوراه). جامعة أم درمان الإسلامية, السودان
https://search.emarefa.net/detail/BIM-370835

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

مصلح، خالد محمد الحاج. تأثير أشعة جاما على الخواص الكهربية لترانزستور تأثير المجال الوصلي و معدن-أكسيد-شبه الموصل. (أطروحة دكتوراه). جامعة أم درمان الإسلامية. (2012).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-370835

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

مصلح، خالد محمد الحاج. (2012). تأثير أشعة جاما على الخواص الكهربية لترانزستور تأثير المجال الوصلي و معدن-أكسيد-شبه الموصل. (أطروحة دكتوراه). جامعة أم درمان الإسلامية, السودان
https://search.emarefa.net/detail/BIM-370835

لغة النص

العربية

نوع البيانات

رسائل جامعية

رقم السجل

BIM-370835