Potential and Quantum Threshold Voltage Modeling of Gate-All-Around Nanowire MOSFETs
المؤلفون المشاركون
Pandian, M. Karthigai
Pricilla, A.
Balamurugan, N. B.
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-09-19
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
An improved physics-based compact model for a symmetrically biased gate-all-around (GAA) silicon nanowire transistor is proposed.
Short channel effects and quantum mechanical effects caused by the ultrathin silicon devices are considered in modelling the threshold voltage.
Device geometrics play a very important role in multigate devices, and hence their impact on the threshold voltage is also analyzed by varying the height and width of silicon channel.
The inversion charge and electrical potential distribution along the channel are expressed in their closed forms.
The proposed model shows excellent accuracy with TCAD simulations of the device in the weak inversion regime.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Pandian, M. Karthigai& Balamurugan, N. B.& Pricilla, A.. 2013. Potential and Quantum Threshold Voltage Modeling of Gate-All-Around Nanowire MOSFETs. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-450031
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Pandian, M. Karthigai…[et al.]. Potential and Quantum Threshold Voltage Modeling of Gate-All-Around Nanowire MOSFETs. Active and Passive Electronic Components No. 2013 (2013), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-450031
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Pandian, M. Karthigai& Balamurugan, N. B.& Pricilla, A.. Potential and Quantum Threshold Voltage Modeling of Gate-All-Around Nanowire MOSFETs. Active and Passive Electronic Components. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-450031
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-450031
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر