![](/images/graphics-bg.png)
Simulation study of various layers and double δ-doping effect on device performance of InAlAs InGaAs InP HEMT
المؤلفون المشاركون
Khan, A. B.
Anjum, S. G.
Siddiqui, M. J.
المصدر
Journal of New Technology and Materials
العدد
المجلد 7، العدد 1 (30 يونيو/حزيران 2017)، ص ص. 76-82، 7ص.
الناشر
جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي
تاريخ النشر
2017-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب
الملخص EN
The InAlAs/InGaAs/InP HEMT (High Electron Mobility Transistor) lattice matched to InP offers outstandinghigh frequency, low noise operation for low-noise amplifiers.
In this work, efforts have been made to study and optimize the device performance of 0.5 μm gate length double δ-doped InP-based In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As HEMT with the help of the variation of various parameters like δ-doping, Schottky layer thickness, spacer layer thickness and gate length.
To study the impact of various parameters we use Atlas Silvaco TCAD numerical simulation tool.
We have performed characterization studies of two-dimensional electron gas (2DEG) in the channel layer, conduction band discontinuity (, transconductance (), threshold voltage ()and cut-off frequency ( to optimize the device performance.
And hence optimize figure of merit such as transconductance and cut-off thefrequency of the device.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Khan, A. B.& Anjum, S. G.& Siddiqui, M. J.. 2017. Simulation study of various layers and double δ-doping effect on device performance of InAlAs InGaAs InP HEMT. Journal of New Technology and Materials،Vol. 7, no. 1, pp.76-82.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-785555
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Khan, A. B.…[et al.]. Simulation study of various layers and double δ-doping effect on device performance of InAlAs InGaAs InP HEMT. Journal of New Technology and Materials Vol. 7, no. 1 (2017), pp.76-82.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-785555
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Khan, A. B.& Anjum, S. G.& Siddiqui, M. J.. Simulation study of various layers and double δ-doping effect on device performance of InAlAs InGaAs InP HEMT. Journal of New Technology and Materials. 2017. Vol. 7, no. 1, pp.76-82.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-785555
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 81-82
رقم السجل
BIM-785555
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)