Prospect of CW Raman laser in silicon-on-insulator nano-waveguides
العناوين الأخرى
اقتراح ليزر رامان السيلكوني ذي الأمواج المستمرة في موجة الموجة النانوي (السيلكون على عازل)
المؤلفون المشاركون
Mahdi, Shayma Salih
Khalifah, Zaynab Salam
Yasin, Samir Khidr
المصدر
العدد
المجلد 18، العدد 45 (31 أغسطس/آب 2020)، ص ص. 9-20، 12ص.
الناشر
تاريخ النشر
2020-08-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تتوقع نتائج محاكاه التحليل العددي أن ليزر رامان النانوي ذو الموجات المستمرة(CW) ممكن توليده في تراكيب أدلة موجه الموجات السيليكونية(SOI)، على الرغم من وجود امتصاص الحاملات الحره.
الهدف من هذه الورقة يكمن على الليزرالمستخدم في انظمة الاتصالات حول الطول الموجي 1550 نانومتر.
لقد تم اعتماد نوعين من هياكل موجه الموجي (Strip and Rib structures) في الدراسة.
ايضا صممت تراكيب موجه الموجي لتكون 220 نانومتر في الارتفاع.
اضافة الى ذلك تمت دراسة ثلاثة انواع مختلفة من العرض (350، 450، 1000) نانومتر.
حيث نوقش اعتماد انتاج الليزر على عمر الحامل الفعال، الذي يتم توليده بواسطة عملية امتصاص فوتونين.
عند الطول الموجي المستخدم في مجال الاتصالات 1550 نانومتر، تم حساب قدرة عتبة الليزر لتكون 1.
7 ميجاوات في موجه الموجة Ribمع (عرض 450 نانومتر و طول 25 مم).
حيث إن عتبة الليزر التي تم الحصول عليها من الدراسة هي أدنى قيمة في حالة قيم الانعكاسات عالية نسبيًا.
بينت نتائج هذة المحاكاة، ان عتبة الليزر تقل كلما زادت قيمة الانعكاسات وقلت قيم الخسارة الناتجة من عملية الامتصاص الخطي و الاخطي.
و يعتبر ليزر رامان السيلكوني في دليل الموجات المتناهية الصغر الخطوة المهمة نحو الأجهزة الإلكترونية الضوئية المدمجة على الرقاقة، قد يفتح الطريق امام دارات ضوئية متكاملة.
الملخص EN
Numerical analysis predicts that continuous-wave (CW) Raman lasing is possible in Silicon-On-insulator (SOI) nano-waveguides, despite of presence of free carrier orption.
The scope of this paper lies on lasers for communication systems around 1550 nm wavelength.
Two types of waveguide structures Strip and Rib waveguides have been incorporated.
The waveguide structures have designed to be 220 nm in height.
Three different widths of (350, 450, 1000) nm were studied.
The dependence of lasing of the SOI Raman laser on effective carrier lifetime was discussed, produced by two photon orption.
At telecommunication wavelength of 1550 nm, Raman lasing threshold was calculated to be 1.
7 mW in Rib SOI waveguide with dimensions width (W= 450 nm) and Length (L= 25 mm).
The obtained Raman lasing is the lowest reported value at relatively high reflectivities.
Raman laser in SOI nano-waveguides presents the important step towards integrated on-chip optoelectronic devices.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Khalifah, Zaynab Salam& Mahdi, Shayma Salih& Yasin, Samir Khidr. 2020. Prospect of CW Raman laser in silicon-on-insulator nano-waveguides. Iraqi Journal of Physics،Vol. 18, no. 45, pp.9-20.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-973330
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Yasin, Samir Khidr…[et al.]. Prospect of CW Raman laser in silicon-on-insulator nano-waveguides. Iraqi Journal of Physics Vol. 18, no. 45 (2020), pp.9-20.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-973330
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Khalifah, Zaynab Salam& Mahdi, Shayma Salih& Yasin, Samir Khidr. Prospect of CW Raman laser in silicon-on-insulator nano-waveguides. Iraqi Journal of Physics. 2020. Vol. 18, no. 45, pp.9-20.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-973330
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 20
رقم السجل
BIM-973330
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
منصة "معرفة" للكتاب العربي الجامعي الرقمي 
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
