![](/images/graphics-bg.png)
استقصاء الحل العددي لنموذج الانجراف-الانتشار في ثنائي pn ذي بعد واحد في السليكون حالة الاستقرار
Other Title(s)
Investigation of the numerical solution for one dimensional drift-diffusion model in silicon in steady state
Joint Authors
روزانا نوري ثابت
حسين، ممتاز محمد صالح
Source
التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية
Issue
Vol. 30, Issue 1 (31 Mar. 2021), pp.46-57, 12 p.
Publisher
University of Mosul College of Education for Pure Science
Publication Date
2021-03-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
12
Main Subjects
Topics
Abstract AR
يعد نموذج انجراف -انتشار من اهم النماذج المستخدمة لوصف خصائص نبائط أشباه الموصلات و يمكن تطبيقه على مدى واسع من التطبيقات تمتد من الأبعاد الدقيقة (المايكروية) إلى الأبعاد النانوية بعد ادخال التصحيحات المناسبة لها.
تعتبر معادلة بواسون، و معادلة الاستمرارية ومعادلة التيار من المعادلات الاساسية في اشباه الموصلات وهي معادلات تفاضلية جزئية تستخدم في نموذج الانجراف – الانتشار.
تصف هذه المعادلات الانتقال شبة الكلاسيكي للإلكترونات والفجوات في حال وجود مجال كهربائي خارجي منتظم، تم في هذا البحث تطبيق طريقة عددية (طريقة الفروق المحدودة) لإيجاد حلول لهذه المعادلات بالاعتماد على طريقة كومل ومخطط شيرفتر -كومل.
تم تطبيق نموذج الانجراف – الانتشار، بعد إجراء عدة تقريبات للحل وباستخدام شروط حدودية مناسبة على ثنائي pn في حالة التوازن وعدم التوازن عند درجة حرارة الغرفة.
تم إجراء محاكاة بإعداد برنامج حاسوبي بلغة MATLAB والحصول على معلمات لثنائي السليكون pn كدالة للمسافة.
اذ تم الحصول على كل من حزمة التوصيل، تركيز الحاملات، المجال الكهربائي و كثافة الشحنة كدالة للمسافة في حالة التوازن اي عندما NA = ND و في حالة عدم التوازن اي عندما NA > ND و تمت المقارنة بين الحالتين.
Abstract EN
The drift-diffusion model is considered as one of the most important models which is used to describe the characteristics of semiconductor devices and can be applied to wide range of applications started from micro up to nano scale devices after applying the suitable correction on it.
The Poisson, continuity, and current equations are considered as the basic equations for semiconductor devices, these equations are partial differential equations, used in the drift diffusion model.
These equations described the semiclassical electron and hole transport in semiconductor in the presence of uniformly applied electric field.
In this paper a numerical method (finite difference method) has been used to find the solution of these equations depending on Gummel method and Scharfetter-Gummel scheme, the drift diffusion model is applied after many approximation and suitable boundary condition which has been considered for the pn diode in both equilibrium and non-equilibrium cases at room temperature, from this simulation model a MATLAB program has been prepared to obtained diode parameters as a function of distance at the junction region, these parameters are (conduction band, carrier concentration, electric field and charge density) two diode model has been tested with different doping concentration the first with NA=ND and the second with NA>ND also the diode characteristic in the forward biased is obtained.
American Psychological Association (APA)
روزانا نوري ثابت وحسين، ممتاز محمد صالح. 2021. استقصاء الحل العددي لنموذج الانجراف-الانتشار في ثنائي pn ذي بعد واحد في السليكون حالة الاستقرار. التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية،مج. 30، ع. 1، ص ص. 46-57.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1257189
Modern Language Association (MLA)
روزانا نوري ثابت وحسين، ممتاز محمد صالح. استقصاء الحل العددي لنموذج الانجراف-الانتشار في ثنائي pn ذي بعد واحد في السليكون حالة الاستقرار. التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية مج. 30، ع. 1 (2021)، ص ص. 46-57.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1257189
American Medical Association (AMA)
روزانا نوري ثابت وحسين، ممتاز محمد صالح. استقصاء الحل العددي لنموذج الانجراف-الانتشار في ثنائي pn ذي بعد واحد في السليكون حالة الاستقرار. التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية. 2021. مج. 30، ع. 1، ص ص. 46-57.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1257189
Data Type
Journal Articles
Language
Arabic
Notes
يتضمن مراجع ببليوجرافية : ص. 56-57
Record ID
BIM-1257189