Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals
Other Title(s)
الأنماء البلوري و الخصائص الكهرابائية اللاتجاهية لبلورات أحادية شالكوجنيدية طبقية من مركب كبريتيد الجاليوم
Author
Source
Journal of King Abdulaziz University : Sciences
Issue
Vol. 22, Issue 2 (31 Dec. 2010), pp.3-12, 10 p.
Publisher
King Abdulaziz University Scientific Publishing Center
Publication Date
2010-12-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
10
Main Subjects
Topics
Abstract AR
استهدف البحث دراسة الخواص الكهربائية لعينة بلورية طبقية، و استخدم لذلك بلورات أحادية من مركب كبريتيد الجاليوم تم تحضيرها باستخدام تقنية بريجمان المطورة.
درست الموصلية الكهربائية، و معامل هول لهذا المركب في مدى حراري واسع، و قد أجريت القياسات في اتجاه المحور البلوري (axis c-) و الاتجاه العمودي عليه.
و عن طريق هذه الدراسة أمكن تعيين العناصر الرئيسية لهذا النوع من البلورات الطبقية، مثل اتساع فجوة الطاقة، و تحديد نوعية التوصيل الحادث، والتي وجد أنها تتم بواسطة الثقوب الموجبة، كما تم حساب طاقة تأين الشوائب المستقبلية.
وجد أن الموصلية الكهربائية عند درجة حرارة الغرفة في حدود 1310 أوم -1سم -1، 1210- أوم -1 سم -1 في الاتجاة العمودي و الموازي للمحور البلوري (c-axis) على الترتيب.
أمكن التعرف على ميكانيكية التبعثر الحادث عن طريق دراسة تأثير درجة الحرارة على انسياقية حوامل التيار.
و عن طريق هذه الدراسة، ألقي الضوء على مميزات هذا النوع من أشباه الموصلات، من حساسية شديدة للتأثير الحراري، وكبر مقاومتها الكهربائية، و اتساع فجوة الطاقة، لتفسح المجال للتطبيق العملي المناسب لهذا النوع من البلورات.
و تعتبر هذه الدراسة هي الأولى من نوعها على هذا النوع من البلورات، لتضمنها قياسات في اتجاهين متعامدين للمحور البلوري (c-axis) للخواص الكهربائية.
Abstract EN
Single crystals of GaS were prepared by a modified of Bridgman technique.
Measurements of electrical conductivity and Hall-coefficient are performed in a single crystal GaS parallel and perpendicular to c-axis.
At room temperature the conductivity ratio (σ┴ /σ \ \ ) is equal to ten.
The study covers a wide range of temperature.
It was found that the samples have p-type conductivity.
In the intrinsic conduction region an energy gap of 2.5eV occurred the ionization energy is determined.
Very strong anisotropy in the whole mobility parallel and perpendicular to c-axis was observed.
The scattering mechanism at low and high temperatures is checked.
American Psychological Association (APA)
al-Arini, Ruqayah Husayn. 2010. Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals. Journal of King Abdulaziz University : Sciences،Vol. 22, no. 2, pp.3-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-264879
Modern Language Association (MLA)
al-Arini, Ruqayah Husayn. Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals. Journal of King Abdulaziz University : Sciences Vol. 22, no. 2 (2010), pp.3-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-264879
American Medical Association (AMA)
al-Arini, Ruqayah Husayn. Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals. Journal of King Abdulaziz University : Sciences. 2010. Vol. 22, no. 2, pp.3-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-264879
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Include bibliographical references : p. 11
Record ID
BIM-264879
