Influence des parametres technologiques sur les caracteristiques iv du transistor mesfet gaas a grille courte

Abstract FRE

Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial.

Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effet de champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs.

Après une étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimes de fonctionnement, une simulation numérique est effectuée.

L’influence des dimensions technologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée.

Les résultats obtenus permettent de déterminer lesparamètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications et utilisations spécifiques.