تغير التوجبه البلوري لسطوح شرائح السلكون باستخدام تقنية الإظهار الكيميائي الرطب الأيزتروبك
Other Title(s)
Using anisotropic silicon etch for change the crystal orientation of silicon wafer
Joint Authors
أريج رياض سعيد
سارية ذياب محمد
الخفاجي، أثير إبراهيم عبد علي
Source
Issue
Vol. 30, Issue 8 (31 Jan. 2012), pp.212-227, 16 p.
Publisher
Publication Date
2012-01-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
16
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تضمن البحث اعتماد تقنية الاظهار الكيميائي الرطب لمحلول KOH و الفحوصات المجهرية و الأشعة السينية لتحديد التوجيه البلوري لشرائح السليكون و للمستوي (100)، حيث أدت المعاملات الميكانيكية و محاليل الإظهار المفضلة إلى أحداث تشويهات ذات هيئات هندسية مميزة تشير إلى المستويات البلورية لشرائح السليكون .بينت الفحوصات المجهرية هيئات ندب الانخلاعات للسطوح (100) في شرائح السليكون بتأثير تقنيات المحاليل الكيميائية الرطبة (KOH) و لنسب وزنية (30 %) و لدرجات حرارية C)°80 )، حيث كانت على هيئة مربعات حادة الحافات مسطحة تشير إلى تلك المستويات و حسب توزي معامل ملر في النظام المكعب.
تم تغير التوجيه البلوري لشرائح للسليكون الأحادي البلورات لبعض السطوح البلورية و للمستويات (100) إلى المستويات (111) و بزاوية قطع بين المستويين ° 54,7 ،وذلك باعتماد تقنيات الإظهار الكميائي الرطب KOH عند نسب وزنية 44 % و لدرجات حرارية (˚C120) و خلال فترات تعرض مختلفة من (30-50 min).
Abstract EN
In this work، anisotropic silicon etch using KOH ، optical microscopic and X-ray diffraction testing، were used to determine the crystal orientation of the silicon wafer(100) plane , where the mechanical polishing and wet etching described the geometric dislocations pits which refers to the crystallographic and the level of (100).
Microscopic examination have been described the geometric dislocations pits which reflected from plane (100) in the forms of four fold flat symmetry which refers to that plane in Silicon wafer, as the distribution of Miller Indices in the cubic system, by the impact chemical wet KOH with concentration 30 wt%, and an etching temperature of 70°C.
The crystal orientation of silicon wafer has been changed from (100) to (111) plane, by chemical wet KOH through cutting 54,7°, the dislocations pits appear in geometric forms in conical shape which refers to the direction [111] for silicon wafer، by the impact chemical wet KOH with concentration 44 wt%, and an etching temperature of 120°C for 20-30min.
American Psychological Association (APA)
سارية ذياب محمد وأريج رياض سعيد والخفاجي، أثير إبراهيم عبد علي. 2012. تغير التوجبه البلوري لسطوح شرائح السلكون باستخدام تقنية الإظهار الكيميائي الرطب الأيزتروبك. مجلة الهندسة والتكنولوجيا،مج. 30، ع. 8، ص ص. 212-227.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-300955
Modern Language Association (MLA)
سارية ذياب محمد....[و آخرون]. تغير التوجبه البلوري لسطوح شرائح السلكون باستخدام تقنية الإظهار الكيميائي الرطب الأيزتروبك. مجلة الهندسة والتكنولوجيا مج. 30، ع. 8 (2012)، ص ص. 212-227.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-300955
American Medical Association (AMA)
سارية ذياب محمد وأريج رياض سعيد والخفاجي، أثير إبراهيم عبد علي. تغير التوجبه البلوري لسطوح شرائح السلكون باستخدام تقنية الإظهار الكيميائي الرطب الأيزتروبك. مجلة الهندسة والتكنولوجيا. 2012. مج. 30، ع. 8، ص ص. 212-227.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-300955
Data Type
Journal Articles
Language
Arabic
Notes
يتضمن ملاحق : ص. 219-227
Record ID
BIM-300955