تصميم و دراسة خصائص كاشف ترانزستور سيلي كوني هجين

Dissertant

جنان طاهر جبار

University

University of Technology

Faculty

-

Department

Applied Sciences Department

University Country

Iraq

Degree

Master

Degree Date

2002

Arabic Abstract

تم لأول مرة في القطر تصنيع و دراسة خصائص كاشف ترانزستور ضوئي نوع المفرق الهجين (p) CDS : Ag / (n-p) Si مصنع بطريقة الرش الكيميائي الحراري من خلال رش غشاء من مادة كبريتيد الكادميوم المشوبة بالفضة على ثنائي وصلة (p-n) سليكوني.

لقد أوضحت النتائج إن هذا الكاشف يعمل بالمدى الطيفي (550-1000) nm و يمتلك أعلى قمة عند الطول الموجي (650) nm و تم استخدام عدة فولتيات انحياز تراوحت بين (0.2-1) V.

إن أعلى قيمة للاستجابية كانت (1.72 A / W) عند جهد انحياز (1 VOLT)، إن مقدار الاستجابة للترانزستور الضوئي كانت أكبر من نظيراتها الثنائية الوصلة بحدود (108) مرة عند قمة الاستجابة.

إن نتائج الربحية للترانزستور الضوئي أثبتت أن أعلى قيمة للربح البصري تم الحصول عليها كانت (81) عند جهد انحياز قدره (2 VOLT).

تم دراسة خصائص (تيار-جهد) و (سعة-جهد) للترانزستور الضوئي المصنع و تم حساب و إيجاد عدة معلمات خاصة بهذه القياسات حيث كان مقدارها عامل المثالية للترانزستور الضوئي للاتصال (باعث-جامع) حوالي (1.2) و الاتصال (باعث-قاعدة) حوالي (1.6) و الاتصال (قاعدة-جامع) حوالي (1.8).

أما بالنسبة لقيمة جهد البناء الداخلي فقد كانت قيمتها للاتصال (باعث-جامع) حوالي (1.6)V و الاتصال (باعث-قاعدة) حوالي (5)V و الاتصال (قاعدة-جامع) حوالي (1.5)V، و كانت الوصلة من النوع الحاد.

ان مقدار الكشفية للترانزستور الضوئي كانت عالية جداً بحدود (20) مرة أعلى من ثنائيات الوصلة السليكونية عند قمة الاستجابة و هذا يعكس مدى أهمية استخدام هذه الكواشف في مجال التطبيقات التي تكون عندها شدة الإشارة الضوئية الساقطة ضعيفة.

Main Subjects

Electronic engineering

Topics

• Maintenance
• Electric machines
• Transistors

• APA
• MLA
• AMA

Language

Arabic

Data Type

Arab Theses

Record ID

BIM-305735