A monté carlo model for simulating the nitrogen diffusion effect into B-LPCVD-nidos polycrystalline thin films
Joint Authors
Allag, S.
Mirabit, S.
Bukizzata, M.
Source
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
Issue
Vol. 2012, Issue 35 (30 Jun. 2012), pp.9-12, 4 p.
Publisher
Publication Date
2012-06-30
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
4
Main Subjects
Topics
Abstract EN
The principal objective of our current work, is to study the influence of different treatment from surface which makes it possible to improve the properties of materials by technique of beam of ions (diffusion – implantation), on the distribution of the particles in a semiconductor the prone polycrystalline Silicon of our study, largely used in micro-electronics.
The interest of this study is related to the ceaseless requirements in industry for increasingly reduced, powerful materials and with the weakest possible cost price.
We thus have, makes a nitriding in gas phase during the phase of deposit LPCVD of polycrystalline Silicon, then one made an ionic implantation with the Bore ions.
The results obtained, starting from a simulation based on the Monte Carlo method, although they are carried out with amounts much lower than the really introduced amounts, being given the limitation of the machine used, satisfied the predictions established at the beginning and encourage us to continue this study from the point of view of the use of this material in particular in varied fields.
Abstract FRE
L'objectif principal de notre travail actuel, est d'étudier l'influence de différent traitements de la surface qui permet d'améliorer les propriétés des matériaux par la technique de l’implantation d'ions (diffusion-implantation), sur la distribution des particules dans un semi-conducteur de la tendance de silicium polycristallin de notre étude, largement utilisé en micro-électronique.
L'intérêt de cette étude est liée à des exigences incessantes dans l'industrie pour de plus en plus réduits, matériels performants et avec un prix de revient plus faible que possible.
On a donc, fait une nitruration en phase gazeuse pendant la phase de dépôt LPCVD de silicium polycristallin, puis une implantation ionique avec des ions de bore.
Les résultats obtenus, à partir d'une simulation basée sur la méthode de Monte Carlo, même si elles sont réalisées avec des quantités beaucoup plus faibles que les montants réellement introduites, étant donné la limitation de la machine utilisée, satisfait les prévisions établies au début et à nous encourager à poursuivre cette étude surtout du point de vue de l'utilisation de ce matériau, en particulier dans des domaines différents.
American Psychological Association (APA)
Allag, S.& Mirabit, S.& Bukizzata, M.. 2012. A monté carlo model for simulating the nitrogen diffusion effect into B-LPCVD-nidos polycrystalline thin films. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2012, no. 35, pp.9-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-329270
Modern Language Association (MLA)
Allag, S.…[et al.]. A monté carlo model for simulating the nitrogen diffusion effect into B-LPCVD-nidos polycrystalline thin films. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 35 (Jun. 2012), pp.9-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-329270
American Medical Association (AMA)
Allag, S.& Mirabit, S.& Bukizzata, M.. A monté carlo model for simulating the nitrogen diffusion effect into B-LPCVD-nidos polycrystalline thin films. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2012. Vol. 2012, no. 35, pp.9-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-329270
Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 12
Record ID
BIM-329270