Variation des coefficients de diffusion et d’activation du bore dans des films de polysilicium sous l’effet de la segregation et du piegeage
Joint Authors
Mansur, F.
Abadli, S.
Mahamdi, R.
Source
Sciences et Technologie : Sciences Appliquées
Issue
Vol. 2003, Issue 20 (31 Dec. 2003), pp.38-42, 5 p.
Publisher
Publication Date
2003-12-31
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
5
Main Subjects
Topics
Abstract EN
This work deals with the boron diffusion modelling into polycrystalline silicon obtained by LPCVD and implanted at high dose.
It is essential to control the doping impurity redistribution in those thin films for their applications as gates in standard CMOS technology.
During the thermal post-implantation anneals, boron diffuses through the thin layers towards sites where it can be electrically active.
However, the solid solubility excess due to the very strong doping and by ion implantation damages, lead to various phenomena such as segregation, clustering, and dopant trapping.
Taken these phenomena into account, we propose a theoretical approach, based on the classical vacancy diffusion model, in which new terms will be added : the trapping factor, the clusters rate and the doping activation rates.
The experimental SIMS profiles simulation will allow the study of the dopant transient enhanced diffusion, as well as the evaluation of the trapping and activation rates.
Abstract FRE
Ce travail s’intéresse à la modélisation de la diffusion du bore introduit par implantation ionique à forte dose dans des dépôts de silicium polycristallin obtenus par LPCVD.
Il est en effet primordial de contrôler la redistribution de l’impureté dopante dans ces films minces pour leur utilisation comme grille en technologie CMOS standard.
Durant les recuits thermiques post-implantation, le bore diffuse dans la couche mince en occupant des sites où il peut être électriquement actif.
Cependant, le dépassement de la solubilité solide dû au très fort dopage ainsi que les endommagements créés par l’implantation ionique, entraînent l’apparition de divers phénomènes tels que ségrégation, formation d’amas ou clusters et piégeage du dopant.
En tenant compte de ces phénomènes, nous proposons une approche théorique, basée sur le modèle classique lacunaire de la diffusion, auquel vont être greffés de nouveaux termes : le facteur de piégeage, le taux de clusters et le pourcentage d’activation du dopant.
La simulation de profils SIMS expérimentaux permettra d’étudier la diffusion transitoire accélérée du dopant, ainsi que d’évaluer son taux de piégeage et son pourcentage d’activation.
American Psychological Association (APA)
Mansur, F.& Abadli, S.& Mahamdi, R.. 2003. Variation des coefficients de diffusion et d’activation du bore dans des films de polysilicium sous l’effet de la segregation et du piegeage. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées،Vol. 2003, no. 20, pp.38-42.
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Modern Language Association (MLA)
Mansur, F.…[et al.]. Variation des coefficients de diffusion et d’activation du bore dans des films de polysilicium sous l’effet de la segregation et du piegeage. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées No. 20 (2003), pp.38-42.
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American Medical Association (AMA)
Mansur, F.& Abadli, S.& Mahamdi, R.. Variation des coefficients de diffusion et d’activation du bore dans des films de polysilicium sous l’effet de la segregation et du piegeage. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées. 2003. Vol. 2003, no. 20, pp.38-42.
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Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 42
Record ID
BIM-443338
