Simulation par la dynamique moléculaire de l'interaction plasma-surface lors de la croissance de couches minces a-Si:H par procédés PECVD
Joint Authors
Babahani, O.
Kebaili, H. O.
Khalfawi, F.
Source
Annales des Sciences et Technologie
Issue
Vol. 6, Issue 2 (31 Dec. 2014), pp.165-171, 7 p.
Publisher
University Kasdi Merbah Ouargla
Publication Date
2014-12-31
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
7
Main Subjects
Topics
Abstract EN
The Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) is amongst of the most common methods of thin films elaboration.
For the study of a-Si:H thin film growth by PECVD process in RF (13.56 MHz) reactor, we are interested in the interaction of electrons, SiHx (x = 1, 2,3) radicals and H existing in the volume of the plasma with the surface.
The radicals interact with the surface according their concentrations in the plasma and their activation energies during chemical reactions on the surface sites.
The used plasma is a mixture of silane-hydrogen (SiH4 / H2).
The gas temperature ranges from 300K to 700K.
We developed a numerical simulation model using molecular dynamics which based on the (9-3) Lennard-Jones radical-surface interaction potential.
This simulation allows calculation of sticking (s), recombination (!) and reactivity (") coefficients of radicals at the surface.
For the SiH3 radical, the calculated value of "SiH3 is 0.47 at 520K for value of activation energy of H-abstraction by SiH3 radical equal 0.12 eV.
Abstract FRE
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est parmi les méthodes d'élaboration les plus courantes pour la réalisation de couches minces.
Pour l’étude de la croissance de couche mince a-Si : H par procédé PECVD dans un réacteur RF de 13,56 MHz, nous nous intéressons à l’interaction des électrons, des radicaux SiHx (x = 1, 2,3) et H existants dans le volume du plasma avec la surface.
Les radicaux interagissent avec la surface selon leurs concentrations dans le plasma et leurs énergies d’activation lors de réactions chimiques sur les sites de surface.
Le plasma utilisé est le mélange silane-hydrogène (SiH4 / H2).
La température du gaz réactif varie de 300K à 700K.
Nous avons réalisé un modèle de simulation numérique par la dynamique moléculaire qui se base sur le potentiel d’interaction radical-surface de Lennard-Jones (9-3).
Cette simulation permet de calculer les coefficients de collage (s), de recombinaison (!) et de réactivité (") des radicaux à la surface.
Pour le radical SiH3, la valeur calculée de "SiH3 est 0.47 à 520K pour une énergie d’activation d’abstraction de H par le radical SiH3 égale à 0.12 eV.
American Psychological Association (APA)
Kebaili, H. O.& Babahani, O.& Khalfawi, F.. 2014. Simulation par la dynamique moléculaire de l'interaction plasma-surface lors de la croissance de couches minces a-Si:H par procédés PECVD. Annales des Sciences et Technologie،Vol. 6, no. 2, pp.165-171.
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Kebaili, H. O.…[et al.]. Simulation par la dynamique moléculaire de l'interaction plasma-surface lors de la croissance de couches minces a-Si:H par procédés PECVD. Annales des Sciences et Technologie Vol. 6, no. 2 (2014), pp.165-171.
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American Medical Association (AMA)
Kebaili, H. O.& Babahani, O.& Khalfawi, F.. Simulation par la dynamique moléculaire de l'interaction plasma-surface lors de la croissance de couches minces a-Si:H par procédés PECVD. Annales des Sciences et Technologie. 2014. Vol. 6, no. 2, pp.165-171.
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Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 170-171
Record ID
BIM-541397
