دراسة التضمين الضوئي للترانزستور ثنائي القطبية ذي النبيطة المكشوفة باستخدام الليزر شبه الموصل
Joint Authors
تغريد محمود يونس
مصعب صالح محمد
Source
التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية
Issue
Vol. 21, Issue 4 (31 Dec. 2008), pp.84-98, 15 p.
Publisher
University of Mosul College of Education for Pure Science
Publication Date
2008-12-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
15
Main Subjects
Topics
Abstract AR
أجريت في هذا البحث دراسة عملية حول تأثير ضوء الليزر شبه الموصل على الخصائص الاستاتيكية و الديناميكية للترانزستور ثنائي القطبية ذي النبيطة المكشوفة.
و لم يشاهد من النتائج التجريبية تأثير ملحوظ على هذه الخصائص بوجود ضوء الليزر شبه الموصل المسلط على نبيطة الترانزستور.
فيما تم تحقيق التضمين الضوئي التماثلي للترانزستور ثنائي القطبية بتأثير ضوء الليزر شبه الموصل المضمن بطريقة مباشرة و قد كان لتيار الحقن لليزر شبه الموصل تأثير واضح في التوافقيات لطيف التضمين لخرج الترانزستور إذ لوحظ حصول زيادة في ذروة التوافقيات بزيادة التيار فوق القيمة 1.1Ith.
تم تحقيق التضمين الضوئي للترانزستور باستخدام تقنية تضمين عرض النبضة، و لوحظ عدم حصول تشوه في شكل النبضات الخارجة من جامع الترانزستور المضمن بنبضات قصيرة الأمد فيما لوحظ حصول تشوه في شكل النبضات الخارجة عند تضمين الليزر شبه الموصل بأمد نبضات أكبر من 2μsec مما يقلل من كفاءة نقل المعلومات.
Abstract EN
The effects of semiconductor laser light on static and dynamic characteristics of bipolar exposed transistor had been studied experimentally.
There was no significant influence on these characteristics in the absence of semiconductor light on transistor device.
Analog optical modulation of bipolar transistor had been realized with semiconductor laser light direct modulation, while there was evident effect of injection current of semiconductor laser on the harmonic of spectrum modulation of transistor output.
Optical modulation of bipolar transistor had been realized using pulse width modulation technique, and there was no deformation in pulse shape out from collector of the transistor modulated by small duration time pulses.
Deformation in pulse shape out of the bipolar transistor has been observed when semiconductor laser modulated by large duration time pulses that is decrease qualification of data transfer.
American Psychological Association (APA)
مصعب صالح محمد وتغريد محمود يونس. 2008. دراسة التضمين الضوئي للترانزستور ثنائي القطبية ذي النبيطة المكشوفة باستخدام الليزر شبه الموصل. التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية،مج. 21، ع. 4، ص ص. 84-98.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-623597
Modern Language Association (MLA)
مصعب صالح محمد وتغريد محمود يونس. دراسة التضمين الضوئي للترانزستور ثنائي القطبية ذي النبيطة المكشوفة باستخدام الليزر شبه الموصل. التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية مج. 21، ع. 4 (كانون الأول 2008)، ص ص. 84-98.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-623597
American Medical Association (AMA)
مصعب صالح محمد وتغريد محمود يونس. دراسة التضمين الضوئي للترانزستور ثنائي القطبية ذي النبيطة المكشوفة باستخدام الليزر شبه الموصل. التربية و العلم : مجلة علمية للبحوث العلمية الأساسية. 2008. مج. 21، ع. 4، ص ص. 84-98.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-623597
Data Type
Journal Articles
Language
Arabic
Notes
يتضمن مراجع ببليوجرافية : ص. 98
Record ID
BIM-623597