Modélisation et simulation de la diffusion de l’antimoine dans le germanium
Joint Authors
Ayyadi, Kamal al-Din
Souigat, Abd al-Qadir
Source
Annales des Sciences et Technologie
Issue
Vol. 7, Issue 2 (31 Oct. 2015), pp.133-135, 3 p.
Publisher
University Kasdi Merbah Ouargla
Publication Date
2015-10-31
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
3
Main Subjects
Abstract EN
Germanium is a good candidate to replace silicon in advanced microelectronic devices, due to its high charge carriers mobility.
The purpose of this work is to know better the phenomenon of dopant diffusion in germanium by modeling and simulating the antimony diffusion in germanium, which is essential to perform efficient circuits.
After the modelling of the diffusion using the vacancy mechanism, taking account of the antimony effective diffusion coefficient dependence of the square and the cube of the free electrons concentration and the numerical solution of partial differential equation of the second Fick law by finite differences method, we were able to simulate the Sb experimental profiles at temperature700°C.
Which shows the contribution of doubly negatively charged (2-) and triply negatively charged (3-) vacancies in this diffusion, where the contributions ratio is β=11.5.
Abstract FRE
Le germanium est un bon candidat pour remplacer le silicium dans les dispositifs microélectroniques avancés car la mobilité de ses porteurs de charge est plus élevée.
Le but de ce travail est de mieux connaître le phénomène de diffusion des dopants dans le germanium qui est essentielle pour la fabrication des circuits performants, en modélisant et simulant la diffusion de l’antimoine dans le germanium.
Nous avons modélisé la diffusion par le mécanisme lacunaire en prenant en compte la dépendance du coefficient de diffusion effectif de l’antimoine avec le carré et le cube de la concentration d'électrons libres.
Par la résolution numérique de l’équation aux dérivées partielles de la deuxième loi de Fick par la méthode des différences finies, nous avons pu simuler les profils expérimentaux de la diffusion de l’antimoine dans le germanium à la température700°C.
Ce qui montre la contribution des lacunes doublement et triplement chargés négativement dans cette diffusion, où le rapport de contributions dans la diffusion via les deux états de la lacune est β = 11.5.
American Psychological Association (APA)
Souigat, Abd al-Qadir& Ayyadi, Kamal al-Din. 2015. Modélisation et simulation de la diffusion de l’antimoine dans le germanium. Annales des Sciences et Technologie،Vol. 7, no. 2, pp.133-135.
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Modern Language Association (MLA)
Souigat, Abd al-Qadir& Ayyadi, Kamal al-Din. Modélisation et simulation de la diffusion de l’antimoine dans le germanium. Annales des Sciences et Technologie Vol. 7, no. 2 (Oct. 2015), pp.133-135.
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American Medical Association (AMA)
Souigat, Abd al-Qadir& Ayyadi, Kamal al-Din. Modélisation et simulation de la diffusion de l’antimoine dans le germanium. Annales des Sciences et Technologie. 2015. Vol. 7, no. 2, pp.133-135.
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Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 135
Record ID
BIM-667823
