Anomalous Threshold Voltage Variability of Nitride Based Charge Storage Nonvolatile Memory Devices
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-09-18
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Conventional technology scaling is implemented to meet the insatiable demand of high memory density and low cost per bit of charge storage nonvolatile memory (NVM) devices.
In this study, effect of technology scaling to anomalous threshold voltage (Vt) variability is investigated thoroughly on postcycled and baked nitride based charge storage NVM devices.
After long annealing bake of high temperature, cell’s Vt variability of each subsequent bake increases within stable Vt distribution and found exacerbate by technology scaling.
Apparent activation energy of this anomalous Vt variability was derived through Arrhenius plots.
Apparent activation energy (Eaa) of this anomalous Vt variability is 0.67 eV at sub-40 nm devices which is a reduction of approximately 2 times from 110 nm devices.
Technology scaling clearly aggravates this anomalous Vt variability, and this poses reliability challenges to applications that demand strict Vt control, for example, reference cells that govern fundamental program, erase, and verify operations of NVM devices.
Based on critical evidence, this anomalous Vt variability is attributed to lateral displacement of trapped charges in nitride storage layer.
Reliability implications of this study are elucidated.
Moreover, potential mitigation methods are proposed to complement technology scaling to prolong the front-runner role of nitride based charge storage NVM in semiconductor flash memory market.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lee, Meng Chuan& Wong, Hin Yong. 2013. Anomalous Threshold Voltage Variability of Nitride Based Charge Storage Nonvolatile Memory Devices. Journal of Nanomaterials،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1008041
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lee, Meng Chuan& Wong, Hin Yong. Anomalous Threshold Voltage Variability of Nitride Based Charge Storage Nonvolatile Memory Devices. Journal of Nanomaterials No. 2013 (2013), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1008041
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lee, Meng Chuan& Wong, Hin Yong. Anomalous Threshold Voltage Variability of Nitride Based Charge Storage Nonvolatile Memory Devices. Journal of Nanomaterials. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1008041
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1008041
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر