Room-Temperature Voltage Stressing Effects on Resistive Switching of Conductive-Bridging RAM Cells with Cu-Doped SiO 2 Films
المؤلفون المشاركون
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-01-09
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
الملخص EN
SiO2 or Cu-doped SiO2 (Cu:SiO2) insulating films combined with Cu or W upper electrodes were constructed on the W/Si substrates to form the conductive-bridging RAM (CB-RAM) cells.
The CB-RAMs were then subjected to a constant-voltage stressing (CVS) at room temperature.
The experimental results show that the room-temperature CVS treatment can effectively affect the current conduction behavior and stabilize the resistive switching of the memory cells.
After the CVS, the current conduction mechanisms in the high resistance state during the set process of the Cu/Cu:SiO2/W cell can be changed from Ohm’s law and the space charge limited conduction to Ohm’s law, the Schottky emission, and the space charge limited conduction.
Presumably, it is due to the breakage of the conduction filaments during the CVS treatment that the conduction electrons cannot go back to the back electrode smoothly.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lin, Jian-Yang& Wang, Bing-Xun. 2014. Room-Temperature Voltage Stressing Effects on Resistive Switching of Conductive-Bridging RAM Cells with Cu-Doped SiO 2 Films. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1034276
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lin, Jian-Yang& Wang, Bing-Xun. Room-Temperature Voltage Stressing Effects on Resistive Switching of Conductive-Bridging RAM Cells with Cu-Doped SiO 2 Films. Advances in Materials Science and Engineering No. 2014 (2014), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1034276
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lin, Jian-Yang& Wang, Bing-Xun. Room-Temperature Voltage Stressing Effects on Resistive Switching of Conductive-Bridging RAM Cells with Cu-Doped SiO 2 Films. Advances in Materials Science and Engineering. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1034276
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1034276
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر