![](/images/graphics-bg.png)
Low Temperature (180°C) Growth of Smooth Surface Germanium Epilayers on Silicon Substrates Using Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition
المؤلفون المشاركون
Chang, Teng-Hsiang
Chang, Chiao
Chu, Yen-Ho
Lee, Chien-Chieh
Chang, Jenq-Yang
Chen, I-Chen
Li, Tomi T.
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-08-10
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This paper describes a new method to grow thin germanium (Ge) epilayers (40 nm) on c-Si substrates at a low growth temperature of 180°C using electron cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR-CVD) process.
The full width at half maximum (FWHM) of the Ge (004) in X-ray diffraction pattern and the compressive stain in a Ge epilayer of 683 arcsec and 0.12% can be achieved.
Moreover, the Ge/Si interface is observed by transmission electron microscopy to demonstrate the epitaxial growth of Ge on Si and the surface roughness is 0.342 nm.
The thin-thickness and smooth surface of Ge epilayer grown on Si in this study is suitable to be a virtual substrate for developing the low cost and high efficiency III-V/Si tandem solar cells in our opinion.
Furthermore, the low temperature process can not only decrease costs but can also reduce the restriction of high temperature processes on device manufacturing.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chang, Teng-Hsiang& Chang, Chiao& Chu, Yen-Ho& Lee, Chien-Chieh& Chang, Jenq-Yang& Chen, I-Chen…[et al.]. 2014. Low Temperature (180°C) Growth of Smooth Surface Germanium Epilayers on Silicon Substrates Using Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition. International Journal of Photoenergy،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1037407
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chang, Teng-Hsiang…[et al.]. Low Temperature (180°C) Growth of Smooth Surface Germanium Epilayers on Silicon Substrates Using Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition. International Journal of Photoenergy No. 2014 (2014), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1037407
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chang, Teng-Hsiang& Chang, Chiao& Chu, Yen-Ho& Lee, Chien-Chieh& Chang, Jenq-Yang& Chen, I-Chen…[et al.]. Low Temperature (180°C) Growth of Smooth Surface Germanium Epilayers on Silicon Substrates Using Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition. International Journal of Photoenergy. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1037407
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1037407
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)