Growth Mechanism and Surface Structure of Ge Nanocrystals Prepared by Thermal Annealing of Cosputtered GeSiO Ternary Precursor
المؤلفون المشاركون
Zhang, Bo
Xiang, Yong
Shrestha, Santosh
Green, Martin
Conibeer, Gavin
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-04-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Ge nanocrystals (Ge-ncs) embedded in a SiO2 superlattice structure were prepared by magnetron cosputtering and postdeposition annealing.
The formation of spherical nanocrystals was confirmed by transmission electron microscopy and their growth process was studied by a combination of spectroscopic techniques.
The crystallinity volume fraction of Ge component was found to increase with crystallite size, but its overall low values indicated a coexistence of crystalline and noncrystalline phases.
A reduction of Ge-O species was observed in the superlattice during thermal annealing, accompanied by a transition from oxygen-deficient silicon oxide to silicon dioxide.
A growth mechanism involving phase separation of Ge suboxides (GeO x) was then proposed to explain these findings and supplement the existing growth models for Ge-ncs in SiO2 films.
Further analysis of the bonding structure of Ge atoms suggested that Ge-ncs are likely to have a core-shell structure with an amorphous-like surface layer, which is composed of GeSiO ternary complex.
The surface layer thickness was extracted to be a few angstroms and equivalent to several atomic layer thicknesses.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Zhang, Bo& Xiang, Yong& Shrestha, Santosh& Green, Martin& Conibeer, Gavin. 2014. Growth Mechanism and Surface Structure of Ge Nanocrystals Prepared by Thermal Annealing of Cosputtered GeSiO Ternary Precursor. Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041236
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Zhang, Bo…[et al.]. Growth Mechanism and Surface Structure of Ge Nanocrystals Prepared by Thermal Annealing of Cosputtered GeSiO Ternary Precursor. Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041236
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Zhang, Bo& Xiang, Yong& Shrestha, Santosh& Green, Martin& Conibeer, Gavin. Growth Mechanism and Surface Structure of Ge Nanocrystals Prepared by Thermal Annealing of Cosputtered GeSiO Ternary Precursor. Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041236
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041236
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر