Improving the Microstructure and Electrical Properties of Aluminum Induced Polysilicon Thin Films Using Silicon Nitride Capping Layer
المؤلفون المشاركون
Yang, Ru-Yuan
Pan, C. T.
Weng, Min-Hang
Huang, Chien-Wei
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-06-25
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We investigated the capping layer effect of Si N x (silicon nitride) on the microstructure, electrical, and optical properties of poly-Si (polycrystalline silicon) prepared by aluminum induced crystallization (AIC).
The primary multilayer structure comprised Al (30 nm)/Si N x (20 nm)/a-Si (amorphous silicon) layer (100 nm)/ITO coated glass and was then annealed in a low annealing temperature of 350°C with different annealing times, 15, 30, 45, and 60 min.
The crystallization properties were analyzed and verified by X-ray diffraction (XRD) and Raman spectra.
The grain growth was analyzed via optical microscope (OM) and scanning electron microscopy (SEM).
The improved electrical properties such as Hall mobility, resistivity, and dark conductivity were investigated by using Hall and current-voltage ( I - V ) measurements.
The results show that the amorphous silicon film has been effectively induced even at a low temperature of 350°C and a short annealing time of 15 min and indicate that the Si N x capping layer can improve the grain growth and reduce the metal content in the induced poly-Si film.
It is found that the large grain size is over 20 μm and the carrier mobility values are over 80 cm2/V-s.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Weng, Min-Hang& Pan, C. T.& Huang, Chien-Wei& Yang, Ru-Yuan. 2014. Improving the Microstructure and Electrical Properties of Aluminum Induced Polysilicon Thin Films Using Silicon Nitride Capping Layer. Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041408
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Weng, Min-Hang…[et al.]. Improving the Microstructure and Electrical Properties of Aluminum Induced Polysilicon Thin Films Using Silicon Nitride Capping Layer. Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041408
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Weng, Min-Hang& Pan, C. T.& Huang, Chien-Wei& Yang, Ru-Yuan. Improving the Microstructure and Electrical Properties of Aluminum Induced Polysilicon Thin Films Using Silicon Nitride Capping Layer. Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041408
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041408
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر