DC Characteristics Optimization of a Double G-Shield 50 V RF LDMOS
المؤلفون المشاركون
Huang, Jingfeng
Zhou, Zhengliang
Wang, Peng-Fei
Zhang, David Wei
Xu, Xiangming
Ci, Pengliang
Tang, Xiaoyu
Shi, Jing
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-04-23
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
An N-type 50 V RF LDMOS with a RESURF (reduced surface field) structure of dual field plates (grounded shield, or G-shield) was investigated.
The effect of the two field plates and N-drift region, including the junction depth and dopant concentration, on the DC characteristics was analyzed by employing the Taurus TCAD device simulator.
A high BV (breakdown voltage) can be achieved while keeping a low R DSON (on-resistance).
The simulation results show that the N-drift region dopant concentration has an obvious effect on the BV and R DSON and the junction depth affected these values less.
There is an optimized length for the second field plate for a given dopant concentration of the N-drift region.
Both factors should be optimized together to determine the best DC characteristics.
Meanwhile, the effect of the first field plate on the BV and R DSON can be ignored.
According to the simulation results, 50 V RF LDMOS with an optimized RESURF structure of a double G-shield was fabricated using 0.35 µm technologies.
The measurement data show the same trend as the TCAD simulation, where a BV of 118 V and R DSON of 26 ohm·mm were achieved.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Xu, Xiangming& Ci, Pengliang& Tang, Xiaoyu& Shi, Jing& Zhou, Zhengliang& Huang, Jingfeng…[et al.]. 2015. DC Characteristics Optimization of a Double G-Shield 50 V RF LDMOS. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052253
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Xu, Xiangming…[et al.]. DC Characteristics Optimization of a Double G-Shield 50 V RF LDMOS. Advances in Condensed Matter Physics No. 2015 (2015), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052253
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Xu, Xiangming& Ci, Pengliang& Tang, Xiaoyu& Shi, Jing& Zhou, Zhengliang& Huang, Jingfeng…[et al.]. DC Characteristics Optimization of a Double G-Shield 50 V RF LDMOS. Advances in Condensed Matter Physics. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052253
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1052253
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر