![](/images/graphics-bg.png)
Characteristics and Breakdown Behaviors of Polysilicon Resistors for High Voltage Applications
المؤلفون المشاركون
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-04-27
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
With the rapid development of the power integrated circuit technology, polysilicon resistors have been widely used not only in traditional CMOS circuits, but also in the high voltage applications.
However, there have been few detailed reports about the polysilicon resistors’ characteristics, like voltage and temperature coefficients and breakdown behaviors which are critical parameters of high voltage applications.
In this study, we experimentally find that the resistance of the polysilicon resistor with a relatively low doping concentration shows negative voltage and temperature coefficients, while that of the polysilicon resistor with a high doping concentration has positive voltage and temperature coefficients.
Moreover, from the experimental results of breakdown voltages of the polysilicon resistors, it could be deduced that the breakdown of polysilicon resistors is thermally rather than electrically induced.
We also proposed to add an N-type well underneath the oxide to increase the breakdown voltage in the vertical direction when the substrate is P-type doped.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Tang, Xiao-Yu& Dong, Ke. 2015. Characteristics and Breakdown Behaviors of Polysilicon Resistors for High Voltage Applications. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052259
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Tang, Xiao-Yu& Dong, Ke. Characteristics and Breakdown Behaviors of Polysilicon Resistors for High Voltage Applications. Advances in Condensed Matter Physics No. 2015 (2015), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052259
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Tang, Xiao-Yu& Dong, Ke. Characteristics and Breakdown Behaviors of Polysilicon Resistors for High Voltage Applications. Advances in Condensed Matter Physics. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052259
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1052259
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)