Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer
المؤلفون المشاركون
Jin, Jingjing
Hu, Shengdong
Chen, Yinhui
Tan, Kaizhou
Luo, Jun
Zhou, Feng
Chen, Zongze
Huang, Ye
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-07-21
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
In order to achieve a high breakdown voltage (BV) for the SOI (Silicon-On-Insulator) power device in high voltage ICs, a novel high voltage n-channel lateral double-diffused MOS (LDMOS) with a lateral variable interface doping profile (LVID) placed at the interface between the SOI layer and the buried-oxide (BOX) layer (LVID SOI) is researched.
Its breakdown mechanism is investigated theoretically, and its structure parameters are optimized and analyzed by 2D simulation software MEDICI.
In the high voltage blocking state, the high concentration ionized donors in the depleted LVID make the surface electric field of SOI layer (ES) more uniform and enhance the electric field of BOX layer (EI), which can prevent the lateral premature breakdown and result in a higher BV.
Compared with the conventional uniformly doped (UD) SOI LDMOS, EI of the optimized LVID SOI LDMOS is enhanced by 79% from 119 V/μm to 213 V/μm, and BV is increased by 33.4% from 169 V to 227 V.
Simulations indicate that the method of LVID profile can significantly improve breakdown voltage for the SOI LDMOS.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Jin, Jingjing& Hu, Shengdong& Chen, Yinhui& Tan, Kaizhou& Luo, Jun& Zhou, Feng…[et al.]. 2015. Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052310
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Jin, Jingjing…[et al.]. Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer. Advances in Condensed Matter Physics No. 2015 (2015), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052310
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Jin, Jingjing& Hu, Shengdong& Chen, Yinhui& Tan, Kaizhou& Luo, Jun& Zhou, Feng…[et al.]. Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer. Advances in Condensed Matter Physics. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052310
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1052310
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر