![](/images/graphics-bg.png)
Usage and Limitation of Standard Mobility Models for TCAD Simulation of Nanoscaled FD-SOI MOSFETs
المؤلفون المشاركون
Ciprut, A.
Chelly, Avraham
Karsenty, Avraham
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-05-26
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
TCAD tools have been largely improved in the last decades in order to support both process and device complementary simulations which are usually based on continuously developed models following the technology progress.
In this paper, we compare between experimental and TCAD simulated results of two kinds of nanoscale devices: ultrathin body (UTB) and nanoscale Body (NSB) SOI-MOSFET devices, sharing the same W/L ratio but having a channel thickness ratio of 10 : 1 (46 nm and 4.6 nm, resp.).
The experimental transfer I-V characteristics were found to be surprisingly different by several orders of magnitude.
We analyzed this result by considering the severe mobility degradation and the influence of a large gate voltage dependent series resistance (RSD).
TCAD tools do not usually consider RSD to be either channel thickness or gate voltage dependent.
After observing a clear discrepancy between the mobility values extracted from our measurements and those modeled by the available TCAD models, we propose a new semiempirical approach to model the transfer characteristics.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ciprut, A.& Chelly, Avraham& Karsenty, Avraham. 2015. Usage and Limitation of Standard Mobility Models for TCAD Simulation of Nanoscaled FD-SOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053830
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ciprut, A.…[et al.]. Usage and Limitation of Standard Mobility Models for TCAD Simulation of Nanoscaled FD-SOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components No. 2015 (2015), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053830
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ciprut, A.& Chelly, Avraham& Karsenty, Avraham. Usage and Limitation of Standard Mobility Models for TCAD Simulation of Nanoscaled FD-SOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053830
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1053830
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)