Leakage Immune Modified Pass Transistor Based 8T SRAM Cell in Subthreshold Region
المؤلفون المشاركون
Gupta, Priya
Gupta, Anu
Asati, Abhijit
المصدر
International Journal of Reconfigurable Computing
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-09-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب
الملخص EN
The paper presents a novel 8T SRAM cell with access pass gates replaced with modified PMOS pass transistor logic.
In comparison to 6T SRAM cell, the proposed cell achieves 3.5x higher read SNM and 2.4x higher write SNM with 16.6% improved SINM (static current noise margin) distribution at the expense of 7x lower WTI (write trip current) at 0.4 V power supply voltage, while maintaining similar stability in hold mode.
The proposed 8T SRAM cell shows improvements in terms of 7.735x narrower spread in average standby power, 2.61x less in average TWA (write access time), and 1.07x less in average TRA (read access time) at supply voltage varying from 0.3 V to 0.5 V as compared to 6T SRAM equivalent at 45 nm technology node.
Thus, comparative analysis shows that the proposed design has a significant improvement, thereby achieving high cell stability at 45 nm technology node.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Gupta, Priya& Gupta, Anu& Asati, Abhijit. 2015. Leakage Immune Modified Pass Transistor Based 8T SRAM Cell in Subthreshold Region. International Journal of Reconfigurable Computing،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1066904
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Gupta, Priya…[et al.]. Leakage Immune Modified Pass Transistor Based 8T SRAM Cell in Subthreshold Region. International Journal of Reconfigurable Computing No. 2015 (2015), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1066904
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Gupta, Priya& Gupta, Anu& Asati, Abhijit. Leakage Immune Modified Pass Transistor Based 8T SRAM Cell in Subthreshold Region. International Journal of Reconfigurable Computing. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1066904
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1066904
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر