MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System
المؤلفون المشاركون
Singh, Nandan
Ho, Charles Kin Fai
Tina, Guo Xin
Chandra Mohan, Manoj Kumar
Lee, Kenneth Eng Kian
Wang, Hong
Lam, Huy Quoc
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-11-23
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We report charge-compensated modified uni-traveling-carrier photodiodes (MUTC-PDs) with high photocurrent and fast response, grown using liquid group-V precursor, in an AIXTRON MOCVD system.
The liquid group-V precursors involve less toxicity with better decomposition characteristics.
Device fabrication is completed with standard processing techniques with BCB passivation.
DC and RF measurements are carried out using a single mode fiber at 1.55 μm.
For a 24-μm-diameter device (with diode ideality factor of 1.34), the dark current is 32.5 nA and the 3-dB bandwidth is ≫20 GHz at a reverse bias of 5 V, which are comparable to the theoretical values.
High photocurrent of over 150.0 mA from larger diameter (>60 μm) devices is obtained.
The maximum DC responsivity at 1.55 μm wavelength is 0.51 A/W, without antireflection coating.
These photodiodes play a key role in the progress of the future THz communication systems.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Singh, Nandan& Ho, Charles Kin Fai& Tina, Guo Xin& Chandra Mohan, Manoj Kumar& Lee, Kenneth Eng Kian& Wang, Hong…[et al.]. 2015. MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069019
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Singh, Nandan…[et al.]. MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069019
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Singh, Nandan& Ho, Charles Kin Fai& Tina, Guo Xin& Chandra Mohan, Manoj Kumar& Lee, Kenneth Eng Kian& Wang, Hong…[et al.]. MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069019
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1069019
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر