Density Functional Theory Study on Defect Feature of AsGaGaAs in Gallium Arsenide
المؤلفون المشاركون
Ma, Deming
Chen, Xi
Qiao, Hongbo
Wang, Wei
Shi, Wei
Li, Enling
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-10-26
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We investigate the defect feature of A s Ga G a As defect in gallium arsenide clusters in detail by using first-principles calculations based on the density functional theory (DFT).
Our calculations reveal that the lowest donor level of A s Ga G a As defect on the gallium arsenide crystal surface is 0.85 eV below the conduction band minimum, while the lowest donor level of the A s Ga G a As defect inside the gallium arsenide bulk is 0.83 eV below the bottom of the conduction band, consistent with gallium arsenide EL2 defect level of experimental value (Ec-0.82 eV).
This suggests that A s Ga G a As defect is one of the possible gallium arsenide EL2 deep-level defects.
Moreover, our results also indicate that the formation energies of internal A s Ga G a As and surface A s Ga G a As defects are predicted to be around 2.36 eV and 5.54 eV, respectively.
This implies that formation of A s Ga G a As defect within the crystal is easier than that of surface.
Our results offer assistance in discussing the structure of gallium arsenide deep-level defect and its effect on the material.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ma, Deming& Chen, Xi& Qiao, Hongbo& Wang, Wei& Shi, Wei& Li, Enling. 2015. Density Functional Theory Study on Defect Feature of AsGaGaAs in Gallium Arsenide. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069150
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ma, Deming…[et al.]. Density Functional Theory Study on Defect Feature of AsGaGaAs in Gallium Arsenide. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069150
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ma, Deming& Chen, Xi& Qiao, Hongbo& Wang, Wei& Shi, Wei& Li, Enling. Density Functional Theory Study on Defect Feature of AsGaGaAs in Gallium Arsenide. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069150
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1069150
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر