Controlled Pore Formation on Mesoporous Single Crystalline Silicon Nanowires: Threshold and Mechanisms
المؤلفون المشاركون
Weidemann, Stefan
Kockert, Maximilian
Wallacher, Dirk
Ramsteiner, Manfred
Mogilatenko, Anna
Rademann, Klaus
Fischer, Saskia F.
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-11، 11ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-05-18
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
11
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Silicon nanowires are prepared by the method of the two-step metal-assisted wet chemical etching.
We analyzed the structure of solid, rough, and porous nanowire surfaces of boron-doped silicon substrates with resistivities of ρ > 1000 Ωcm, ρ = 14–23 Ωcm, and ρ < 0.01 Ωcm by scanning electron microscopy and nitrogen gas adsorption.
Silicon nanowires prepared from highly doped silicon reveal mesopores on their surface.
However, we found a limit for pore formation.
Pores were only formed by etching below a critical H2O2 concentration (cH2O2<0.3 M).
Furthermore, we determined the pore size distribution dependent on the etching parameters and characterized the morphology of the pores on the nanowire surface.
The pores are in the regime of small mesopores with a mean diameter of 9–13 nm.
Crystal and surface structure of individual mesoporous nanowires were investigated by transmission electron microscopy.
The vibrational properties of nanowire ensembles were investigated by Raman spectroscopy.
Heavily boron-doped silicon nanowires are highly porous and the remaining single crystalline silicon nanoscale mesh leads to a redshift and a strong asymmetric line broadening for Raman scattering by optical phonons at 520 cm−1.
This redshift, λSi bulk=520 cm−1 →λSi nanowire=512 cm−1, hints to a phonon confinement in mesoporous single crystalline silicon nanowires.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Weidemann, Stefan& Kockert, Maximilian& Wallacher, Dirk& Ramsteiner, Manfred& Mogilatenko, Anna& Rademann, Klaus…[et al.]. 2015. Controlled Pore Formation on Mesoporous Single Crystalline Silicon Nanowires: Threshold and Mechanisms. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-11.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069211
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Weidemann, Stefan…[et al.]. Controlled Pore Formation on Mesoporous Single Crystalline Silicon Nanowires: Threshold and Mechanisms. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-11.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069211
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Weidemann, Stefan& Kockert, Maximilian& Wallacher, Dirk& Ramsteiner, Manfred& Mogilatenko, Anna& Rademann, Klaus…[et al.]. Controlled Pore Formation on Mesoporous Single Crystalline Silicon Nanowires: Threshold and Mechanisms. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-11.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069211
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1069211
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر