![](/images/graphics-bg.png)
Ferroelectricity, Piezoelectricity, and Dielectricity of 0.06PMnN-0.94PZT(4555) Thin Film on Silicon Substrate
المؤلفون المشاركون
Zhang, Tao
Liang, Fujun
Li, Shaorong
Pang, Huafeng
Li, Hailong
Zhou, Chenlei
Zhu, Huaze
Zhou, Yahong
Hao, Limei
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-11-04
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The high piezoelectricity and high quality factor ferroelectric thin films are important for electromechanical applications especially the micro electromechanical system (MEMS).
The ternary compound ferroelectric thin films 0.06Pb(Mn1/3, Nb2/3)O3 + 0.94Pb(Zr0.45, Ti0.55)O3 (0.06PMnN-0.94PZT(45/55)) were deposited on silicon(100) substrates by RF magnetron sputtering method considering that Mn and Nb doping will improve PZT properties in this research.
For comparison, nondoped PZT(45/55) films were also deposited.
The results show that both of thin films show polycrystal structures with the main (111) and (101) orientations.
The transverse piezoelectric coefficients are e 31 , e f f = − 4.03 C/m2 and e 31 , e f f = - 3.5 C/m2, respectively.
These thin films exhibit classical ferroelectricity, in which the coercive electric field intensities are 2 E c = 147.31 kV/cm and 2 E c = 135.44 kV/cm, and the saturation polarization P s = 30.86 μC/cm2 and P s = 17.74 μC/cm2, and the remnant polarization P r = 20.44 μC/cm2 and P r = 9.87 μC/cm2, respectively.
Moreover, the dielectric constants and loss are ε r = 681 and D = 5 % and ε r = 537 and D = 4.3 %, respectively.
In conclusion, 0.06PMnN-0.94PZT(45/55) thin films act better than nondoped films, even though their dielectric constants are higher.
Their excellent ferroelectricity, piezoelectricity, and high power and energy storage property, especially the easy fabrication, integration realizable, and potentially high quality factor, make this kind of thin films available for the realistic applications.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Zhang, Tao& Li, Hailong& Zhou, Chenlei& Zhu, Huaze& Zhou, Yahong& Liang, Fujun…[et al.]. 2015. Ferroelectricity, Piezoelectricity, and Dielectricity of 0.06PMnN-0.94PZT(4555) Thin Film on Silicon Substrate. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069384
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Zhang, Tao…[et al.]. Ferroelectricity, Piezoelectricity, and Dielectricity of 0.06PMnN-0.94PZT(4555) Thin Film on Silicon Substrate. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069384
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Zhang, Tao& Li, Hailong& Zhou, Chenlei& Zhu, Huaze& Zhou, Yahong& Liang, Fujun…[et al.]. Ferroelectricity, Piezoelectricity, and Dielectricity of 0.06PMnN-0.94PZT(4555) Thin Film on Silicon Substrate. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069384
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1069384
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)