![](/images/graphics-bg.png)
Modeling of Memristive and Memcapacitive Behaviors in Metal-Oxide Junctions
المؤلفون المشاركون
Mohamed, Mohamed Gamal Ahmed
Kim, HyungWon
Cho, Tae-Won
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-16، 16ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-01-29
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
16
التخصصات الرئيسية
الطب البشري
تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب
الملخص EN
Memristive behavior has been clearly addressed through growth and shrinkage of thin filaments in metal-oxide junctions.
Capacitance change has also been observed, raising the possibility of using them as memcapacitors.
Therefore, this paper proves that metal-oxide junctions can behave as a memcapacitor element by analyzing its characteristics and modeling its memristive and memcapacitive behaviors.
We develop two behavioral modeling techniques: charge-dependent memcapacitor model and voltage-dependent memcapacitor model.
A new physical model for metal-oxide junctions is presented based on conducting filaments variations, and its effect on device capacitance and resistance.
In this model, we apply the exponential nature of growth and shrinkage of thin filaments and use Simmons’ tunneling equation to calculate the tunneling current.
Simulation results show how the variations of practical device parameters can change the device behavior.
They clarify the basic conditions for building a memcapacitor device with negligible change in resistance.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Mohamed, Mohamed Gamal Ahmed& Kim, HyungWon& Cho, Tae-Won. 2015. Modeling of Memristive and Memcapacitive Behaviors in Metal-Oxide Junctions. The Scientific World Journal،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1079278
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Mohamed, Mohamed Gamal Ahmed…[et al.]. Modeling of Memristive and Memcapacitive Behaviors in Metal-Oxide Junctions. The Scientific World Journal No. 2015 (2015), pp.1-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1079278
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Mohamed, Mohamed Gamal Ahmed& Kim, HyungWon& Cho, Tae-Won. Modeling of Memristive and Memcapacitive Behaviors in Metal-Oxide Junctions. The Scientific World Journal. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1079278
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1079278
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)