![](/images/graphics-bg.png)
Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors
المؤلفون المشاركون
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2016، العدد 2016 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2016-12-29
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
الملخص EN
Focusing on sub-10 nm Silicon CMOS device fabrication technology, we have incorporated ultrathin TiN metal gate electrode in Hafnium Silicate (HfSiO) based metal-oxide capacitors (MOSCAP) with carefully chosen Atomic Layer Deposition (ALD) process parameters.
Gate element of the device has undergone a detailed postmetal annealed sequence ranging from 100°C to 1000°C.
The applicability of ultrathin TiN on gate electrodes is established through current density versus voltage (J-V), resistance versus temperature (R-T), and permittivity versus temperature analysis.
A higher process window starting from 600°C was intentionally chosen to understand the energy efficient behavior expected from ultrathin gate metallization and its unique physical state with shrinking thickness.
The device characteristics in form of effective electronic mobility as a function of inverse charge density were also found better than those conventional gate stacks used for EOT scaling.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Khan, Z. N.& Ahmed, S.& Ali, M.. 2016. Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2016, no. 2016, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1096111
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Khan, Z. N.…[et al.]. Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors. Advances in Materials Science and Engineering No. 2016 (2016), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1096111
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Khan, Z. N.& Ahmed, S.& Ali, M.. Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors. Advances in Materials Science and Engineering. 2016. Vol. 2016, no. 2016, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1096111
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1096111
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)