![](/images/graphics-bg.png)
Study of Transition Region of p-Type SiO x :H as Window Layer in a-Si:Ha-Si 1 - y Ge y :H Multijunction Solar Cells
المؤلفون المشاركون
Tsai, Chuang-Chuang
Chen, Pei-Ling
Chen, Po-Wei
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2016، العدد 2016 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2016-08-08
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We have studied the p-type hydrogenated silicon oxide ( S i O x :H) films prepared in the amorphous-to-microcrystalline transition region as a window layer in a-Si:H/a- S i 1 - y G e y :H multijunction solar cells.
By increasing the H 2 -to- S i H 4 flow ratio ( R H 2 ) from 10 to 167, the S i O x :H(p) films remained amorphous and exhibited an increased hydrogen content from 10.2% to 12.2%.
Compared to the amorphous S i O x :H(p) film prepared at low R H 2 , the S i O x :H(p) film deposited at R H 2 of 167 exhibited a higher bandgap of 2.04 eV and a higher conductivity of 1.15 × 10−5 S/cm.
With the employment of S i O x :H(p) films prepared by increasing R H 2 from 10 to 167 in a-Si:H single-junction cell, the FF improved from 65% to 70% and the efficiency increased from 7.4% to 8.7%, owing to the enhanced optoelectrical properties of S i O x :H(p) and the improved p/i interface.
However, the cell that employed S i O x :H(p) film with R H 2 over 175 degraded the p/i interface and degraded the cell performance, which were arising from the onset of crystallization in the window layer.
Compared to the cell using standard a- S i C x :H(p), the a-Si:H/a- S i 1 - y G e y :H tandem cells employing S i O x :H(p) deposited with R H 2 of 167 showed an improved efficiency from 9.3% to 10.3%, with V O C of 1.60 V, J S C of 9.3 mA/cm2, and FF of 68.9%.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chen, Pei-Ling& Chen, Po-Wei& Tsai, Chuang-Chuang. 2016. Study of Transition Region of p-Type SiO x :H as Window Layer in a-Si:Ha-Si 1 - y Ge y :H Multijunction Solar Cells. International Journal of Photoenergy،Vol. 2016, no. 2016, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1106460
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chen, Pei-Ling…[et al.]. Study of Transition Region of p-Type SiO x :H as Window Layer in a-Si:Ha-Si 1 - y Ge y :H Multijunction Solar Cells. International Journal of Photoenergy No. 2016 (2016), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1106460
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chen, Pei-Ling& Chen, Po-Wei& Tsai, Chuang-Chuang. Study of Transition Region of p-Type SiO x :H as Window Layer in a-Si:Ha-Si 1 - y Ge y :H Multijunction Solar Cells. International Journal of Photoenergy. 2016. Vol. 2016, no. 2016, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1106460
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1106460
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)