Modeling, Design, and Fabrication of Self-Doping Si1−xGe xSi Multiquantum Well Material for Infrared Sensing
المؤلفون المشاركون
Jiang, Bo
Gu, Dandan
Zhang, Yulong
Su, Yan
He, Yong
Dong, Tao
المصدر
العدد
المجلد 2016، العدد 2016 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-12-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The paper presents the study of band distributions and thermoelectric properties of self-doping Si1−xGe x/Si multiquantum well material for infrared detection.
The simulations of different structures (including boron doping, germanium concentrations, and SiGe layer thickness) have been conducted.
The critical thickness of SiGe layer grown on silicon substrate has also been illustrated in the paper.
The self-doping Si1−x Ge x/Si multiquantum well material was epitaxially grown on SOI substrate with reduced pressure chemical vapor deposition.
Each layer of the material is clear in the SEM.
The I - V characterizations and temperature resistance coefficient (TCR) tests were also performed to show the thermoelectric properties.
The TCR was about −3.7%/K at room temperature in the experiments, which is competitive with the other thermistor materials.
The material is a low noise material, whose root mean square noise is 1.89 mV in the experiments.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Jiang, Bo& Gu, Dandan& Zhang, Yulong& Su, Yan& He, Yong& Dong, Tao. 2015. Modeling, Design, and Fabrication of Self-Doping Si1−xGe xSi Multiquantum Well Material for Infrared Sensing. Journal of Sensors،Vol. 2016, no. 2016, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1110560
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Jiang, Bo…[et al.]. Modeling, Design, and Fabrication of Self-Doping Si1−xGe xSi Multiquantum Well Material for Infrared Sensing. Journal of Sensors No. 2016 (2016), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1110560
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Jiang, Bo& Gu, Dandan& Zhang, Yulong& Su, Yan& He, Yong& Dong, Tao. Modeling, Design, and Fabrication of Self-Doping Si1−xGe xSi Multiquantum Well Material for Infrared Sensing. Journal of Sensors. 2015. Vol. 2016, no. 2016, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1110560
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1110560
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر