![](/images/graphics-bg.png)
Depth-Sensitive Raman Investigation of Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Absorption as a Tool for Variation of Exciting Light Penetration Depth
المؤلف
المصدر
العدد
المجلد 2016، العدد 2016 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 1-14، 14ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2016-01-12
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
14
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Presented work focuses the attention on two regions of MOS structure placed in the vicinity of the semiconductor/dielectric interface, in particular: on part of dielectric layer and thin layer of the substrate.
In the presented work the application of absorption as a tool that can vary the absorption depth of excitation light into the semiconductor substrate is discussed.
The changes of the absorption depth of visible light allows to obtain Raman signal from places in the substrate placed at different distances from the dielectric/semiconductor interface.
The series of Raman spectra obtained from visible excitation in the case of varying absorption depth allowed to analyze the structure of the substrate as a function of distance from the interface.
Deep ultraviolet Raman study regarding part of silicon dioxide layer placed directly at the interface is not discussed so far which makes the analysis of the structure of this part of dielectric layer possible.
Comparison of reported in this work Raman data with structure of silicon/silicon dioxide interface obtained from other experimental techniques proves the applicability of proposed methodology.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Borowicz, Paweł. 2016. Depth-Sensitive Raman Investigation of Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Absorption as a Tool for Variation of Exciting Light Penetration Depth. Journal of Spectroscopy،Vol. 2016, no. 2016, pp.1-14.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1110759
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Borowicz, Paweł. Depth-Sensitive Raman Investigation of Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Absorption as a Tool for Variation of Exciting Light Penetration Depth. Journal of Spectroscopy No. 2016 (2016), pp.1-14.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1110759
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Borowicz, Paweł. Depth-Sensitive Raman Investigation of Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Absorption as a Tool for Variation of Exciting Light Penetration Depth. Journal of Spectroscopy. 2016. Vol. 2016, no. 2016, pp.1-14.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1110759
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1110759
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)