![](/images/graphics-bg.png)
The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection
المؤلفون المشاركون
Shen, Jingyu
Tan, Can
Jiang, Rui
Li, Wei
Fan, Xue
Li, Jianjun
Wu, Jingping
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-05-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The breakdown characteristics of ultra-thin gate oxide MOS capacitors fabricated in 65 nm CMOS technology under constant voltage stress and substrate hot-carrier injection are investigated.
Compared to normal thick gate oxide, the degradation mechanism of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) of ultra-thin gate oxide is found to be different.
It is found that the gate current ( I g ) of ultra-thin gate oxide MOS capacitor is more likely to be induced not only by Fowler-Nordheim (F-N) tunneling electrons, but also by electrons surmounting barrier and penetrating electrons in the condition of constant voltage stress.
Moreover it is shown that the time to breakdown ( t b d ) under substrate hot-carrier injection is far less than that under constant voltage stress when the failure criterion is defined as a hard breakdown according to the experimental results.
The TDDB mechanism of ultra-thin gate oxide will be detailed.
The differences in TDDB characteristics of MOS capacitors induced by constant voltage stress and substrate hot-carrier injection will be also discussed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shen, Jingyu& Tan, Can& Jiang, Rui& Li, Wei& Fan, Xue& Li, Jianjun…[et al.]. 2018. The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117252
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shen, Jingyu…[et al.]. The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection. Advances in Condensed Matter Physics No. 2018 (2018), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117252
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shen, Jingyu& Tan, Can& Jiang, Rui& Li, Wei& Fan, Xue& Li, Jianjun…[et al.]. The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection. Advances in Condensed Matter Physics. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117252
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1117252
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)