External Electric Field Effect on Shallow Donor Impurity States in Zinc-Blende InxGa1−xNGaN Symmetric Coupled Quantum Dots
المؤلفون المشاركون
Wang, Guangxin
Zhang, Li-Li
Wei, Huan
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-12-03
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Based on the effective-mass approximation and variational procedure, the ground-state donor binding energy in a cylindrical zinc-blende InxGa1-xN/GaN symmetric coupled quantum dots (SCQDs) is investigated in the presence of the external electric field.
Numerical results show that the donor binding energy increases firstly until a maximum value, and then it begins to drop quickly in all the cases with decreasing the dot radius.
As the thickness of left dot and right dot decreases, the donor binding energy increases monotonically at first, reaches a maximum value, and then drops rapidly for an impurity ion located at the right dot center and the middle barrier center.
Moreover, the donor binding energy for an impurity ion located at the center of the left dot is insensitive to the variation of dot thickness for large dot thickness due to the Stark effect.
Meanwhile, the impurity position plays an important role on the change of the donor binding energy under the external electric field.
In particular, the impurity position corresponding to the peak value of the donor binding energy is shifted toward the left QD with increasing the external electric field strength.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Wang, Guangxin& Zhang, Li-Li& Wei, Huan. 2017. External Electric Field Effect on Shallow Donor Impurity States in Zinc-Blende InxGa1−xNGaN Symmetric Coupled Quantum Dots. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1121620
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Wang, Guangxin…[et al.]. External Electric Field Effect on Shallow Donor Impurity States in Zinc-Blende InxGa1−xNGaN Symmetric Coupled Quantum Dots. Advances in Condensed Matter Physics No. 2017 (2017), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1121620
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Wang, Guangxin& Zhang, Li-Li& Wei, Huan. External Electric Field Effect on Shallow Donor Impurity States in Zinc-Blende InxGa1−xNGaN Symmetric Coupled Quantum Dots. Advances in Condensed Matter Physics. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1121620
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1121620
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر