Simulation Calculation and Analysis of Electronic Structure and Electrical Properties of Metal-Doped SnO2
المؤلفون المشاركون
Wang, Jingqin
Zhang, Ying
Kang, Hui-Ling
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-09-09
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
الملخص EN
SnO2 is an almost insulated semiconductor material, which increases the contact resistance of the AgSnO2 electrical contact material.
Therefore, by improving the electrical performance of SnO2, the electrical properties of the AgSnO2 can be optimized.
The first principle method based on density functional theory is used to calculate the electronic structure, formation energy, band structure, density of states, and differential charge density of SnO2 doped with the metals Ti, Sr, Ge, Sb, and Ga.
The results show that metal-doped SnO2 materials are still direct bandgap semiconductor materials, and the effect of the electronic states of the metallic elements enhances the localization of the energy band, decreases the bandgap, increases the carrier concentration at the Fermi level, and enhances the electrical performance of the materials, and the bandgap of Ga-doped SnO2 is the smallest, 0.041 eV.
And the charge transfer between Sb, Sr, Ga, Ti, and Ge metal atoms and O atoms increases, especially between Ga atom and O atom; that is, the electrical performance of Ga doping is better.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Wang, Jingqin& Kang, Hui-Ling& Zhang, Ying. 2018. Simulation Calculation and Analysis of Electronic Structure and Electrical Properties of Metal-Doped SnO2. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1122292
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Wang, Jingqin…[et al.]. Simulation Calculation and Analysis of Electronic Structure and Electrical Properties of Metal-Doped SnO2. Advances in Materials Science and Engineering No. 2018 (2018), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1122292
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Wang, Jingqin& Kang, Hui-Ling& Zhang, Ying. Simulation Calculation and Analysis of Electronic Structure and Electrical Properties of Metal-Doped SnO2. Advances in Materials Science and Engineering. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1122292
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1122292
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر