Semianalytical Modelling and 2D Numerical Simulation of Low-Frequency Noise in Advanced N-Channel FDSOI MOSFETs
المؤلفون المشاركون
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2020، العدد 2020 (31 ديسمبر/كانون الأول 2020)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2020-12-03
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Thorough investigations of the low-frequency noise (LFN) in a fully depleted silicon-on-insulator technology node have been accomplished, pointing out on the contribution of the buried oxide (BOX) and the Si-BOX interface to the total drain current noise level.
A new analytical multilayer gate stack flat-band voltage fluctuation-based model has been established, and 2D numerical simulations have been carried out to identify the main noise sources and related parameters on which the LFN depends.
The increase of the noise at strong inversion could be explained by the access resistance contribution to the 1/f noise.
Therefore, considering uncorrelated noise sources in the channel and in the source/drain regions, the total low-frequency noise can simply be obtained by adding to the channel noise the contribution of the excess noise originating from the access region (Δr).
Moreover, only two fit parameters are used in this work: the trap volumetric density in the BOX, and the 1/f access noise level originating from the access series resistance, which is assumed to be the same for the front and the back interfaces.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Boutchacha, T.& Ghibaudo, G.. 2020. Semianalytical Modelling and 2D Numerical Simulation of Low-Frequency Noise in Advanced N-Channel FDSOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2020, no. 2020, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1129880
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Boutchacha, T.& Ghibaudo, G.. Semianalytical Modelling and 2D Numerical Simulation of Low-Frequency Noise in Advanced N-Channel FDSOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components No. 2020 (2020), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1129880
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Boutchacha, T.& Ghibaudo, G.. Semianalytical Modelling and 2D Numerical Simulation of Low-Frequency Noise in Advanced N-Channel FDSOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components. 2020. Vol. 2020, no. 2020, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1129880
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1129880
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر