Corrigendum to “Sensitivity of P-Channel MOSFET to X- and Gamma-Ray Irradiation”

المؤلفون المشاركون

Ilić, Gvozden
Ciraj-Bjelac, Olivera
Rajović, Zoran
Pejović, Milić
Kovačević, Milojko

المصدر

International Journal of Photoenergy

العدد

المجلد 2020، العدد 2020 (31 ديسمبر/كانون الأول 2020)، ص ص. 1-2، 2ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2020-08-31

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

2

التخصصات الرئيسية

الكيمياء

الملخص EN

In the article titled “Sensitivity of P-Channel MOSFET to X- and Gamma-Ray Irradiation” [1], there was an error in the drawing of Figure 2, which should be corrected as follows:

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Pejović, Milić& Ciraj-Bjelac, Olivera& Kovačević, Milojko& Rajović, Zoran& Ilić, Gvozden. 2020. Corrigendum to “Sensitivity of P-Channel MOSFET to X- and Gamma-Ray Irradiation”. International Journal of Photoenergy،Vol. 2020, no. 2020, pp.1-2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1173129

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Pejović, Milić…[et al.]. Corrigendum to “Sensitivity of P-Channel MOSFET to X- and Gamma-Ray Irradiation”. International Journal of Photoenergy No. 2020 (2020), pp.1-2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1173129

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Pejović, Milić& Ciraj-Bjelac, Olivera& Kovačević, Milojko& Rajović, Zoran& Ilić, Gvozden. Corrigendum to “Sensitivity of P-Channel MOSFET to X- and Gamma-Ray Irradiation”. International Journal of Photoenergy. 2020. Vol. 2020, no. 2020, pp.1-2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1173129

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-1173129