![](/images/graphics-bg.png)
Technology and Modeling of Nonclassical Transistor Devices
المؤلفون المشاركون
Angelov, George V.
Nikolov, Dimitar N.
Hristov, Marin H.
المصدر
Journal of Electrical and Computer Engineering
العدد
المجلد 2019، العدد 2019 (31 ديسمبر/كانون الأول 2019)، ص ص. 1-18، 18ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2019-11-03
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
18
التخصصات الرئيسية
تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب
الملخص EN
This paper presents a comprehensive outlook for the current technology status and the prospective upcoming advancements.
VLSI scaling trends and technology advancements in the context of sub-10-nm technologies are reviewed as well as the associated device modeling approaches and compact models of transistor structures are considered.
As technology goes into the nanometer regime, semiconductor devices are confronting numerous short-channel effects.
Bulk CMOS technology is developing and innovating to overcome these constraints by introduction of (i) new technologies and new materials and (ii) new transistor architectures.
Technology boosters such as high-k/metal-gate technologies, ultra-thin-body SOI, Ge-on-insulator (GOI), AIII–BV semiconductors, and band-engineered transistor (SiGe or Strained Si-channel) with high-carrier-mobility channels are examined.
Nonclassical device structures such as novel multiple-gate transistor structures including multiple-gate field-effect transistors, FD-SOI MOSFETs, CNTFETs, and SETs are examined as possible successors of conventional CMOS devices and FinFETs.
Special attention is devoted to gate-all-around FETs and, respectively, nanowire and nanosheet FETs as forthcoming mainstream replacements of FinFET.
In view of that, compact modeling of bulk CMOS transistors and multiple-gate transistors are considered as well as BSIM and PSP multiple-gate models, FD-SOI MOSFETs, CNTFET, and SET modeling are reviewed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Angelov, George V.& Nikolov, Dimitar N.& Hristov, Marin H.. 2019. Technology and Modeling of Nonclassical Transistor Devices. Journal of Electrical and Computer Engineering،Vol. 2019, no. 2019, pp.1-18.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1173773
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Angelov, George V.…[et al.]. Technology and Modeling of Nonclassical Transistor Devices. Journal of Electrical and Computer Engineering No. 2019 (2019), pp.1-18.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1173773
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Angelov, George V.& Nikolov, Dimitar N.& Hristov, Marin H.. Technology and Modeling of Nonclassical Transistor Devices. Journal of Electrical and Computer Engineering. 2019. Vol. 2019, no. 2019, pp.1-18.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1173773
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1173773
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)