Physics-Based Modeling and Experimental Study of Si-Doped InAsGaAs Quantum Dot Solar Cells
المؤلفون المشاركون
Wu, Jiang
Cédola, A. P.
Kim, D.
Tibaldi, A.
Tang, M.
Khalili, A.
Liu, H.
Cappelluti, F.
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-02-18
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This paper presents an experimental and theoretical study on the impact of doping and recombination mechanisms on quantum dot solar cells based on the InAs/GaAs system.
Numerical simulations are built on a hybrid approach that includes the quantum features of the charge transfer processes between the nanostructured material and the bulk host material in a classical transport model of the macroscopic continuum.
This allows gaining a detailed understanding of the several physical mechanisms affecting the photovoltaic conversion efficiency and provides a quantitatively accurate picture of real devices at a reasonable computational cost.
Experimental results demonstrate that QD doping provides a remarkable increase of the solar cell open-circuit voltage, which is explained by the numerical simulations as the result of reduced recombination loss through quantum dots and defects.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Cédola, A. P.& Kim, D.& Tibaldi, A.& Tang, M.& Khalili, A.& Wu, Jiang…[et al.]. 2018. Physics-Based Modeling and Experimental Study of Si-Doped InAsGaAs Quantum Dot Solar Cells. International Journal of Photoenergy،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1174356
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Cédola, A. P.…[et al.]. Physics-Based Modeling and Experimental Study of Si-Doped InAsGaAs Quantum Dot Solar Cells. International Journal of Photoenergy No. 2018 (2018), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1174356
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Cédola, A. P.& Kim, D.& Tibaldi, A.& Tang, M.& Khalili, A.& Wu, Jiang…[et al.]. Physics-Based Modeling and Experimental Study of Si-Doped InAsGaAs Quantum Dot Solar Cells. International Journal of Photoenergy. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1174356
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1174356
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر