![](/images/graphics-bg.png)
Porous Silicon and Indium Doped Zinc Oxide Junctions: Synthesis, Characterization, and Application to Electroluminescent Devices
المؤلفون المشاركون
García-Salgado, G.
Severiano, F.
Gayou, V. L.
Castañeda, Luis
المصدر
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-03-23
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We report the obtaining of electroluminescent devices (ELD) from porous silicon (PS) and indium doped zinc oxide (ZnO:In) junctions.
PS presented photoluminescence (PL) in the visible region of the electromagnetic spectrum.
ZnO:In thin film was obtained by dip coating technique.
SEM images and IR measurements showed the incorporation of the ZnO:In in the PS structure.
Once obtained, the device was optically and electrically characterized.
The ELD showed emission in the visible (450–850 nm) and infrared region (900–1200 nm) where it was electrically polarized.
The visible emission was detected as luminescent spots on the surface.
Electrical characterization was carried out by current-voltage (I-V) curves.
The I-V curves showed rectifying behavior.
It was related to the quenching of the EL with the process that takes place in the PS when it was immersed in the precursor solution of the ZnO:In.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Severiano, F.& García-Salgado, G.& Castañeda, Luis& Gayou, V. L.. 2017. Porous Silicon and Indium Doped Zinc Oxide Junctions: Synthesis, Characterization, and Application to Electroluminescent Devices. Journal of Nanomaterials،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1182706
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Severiano, F.…[et al.]. Porous Silicon and Indium Doped Zinc Oxide Junctions: Synthesis, Characterization, and Application to Electroluminescent Devices. Journal of Nanomaterials No. 2017 (2017), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1182706
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Severiano, F.& García-Salgado, G.& Castañeda, Luis& Gayou, V. L.. Porous Silicon and Indium Doped Zinc Oxide Junctions: Synthesis, Characterization, and Application to Electroluminescent Devices. Journal of Nanomaterials. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1182706
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1182706
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)