Modeling, Simulation, and Analysis of Novel Threshold Voltage Definition for Nano-MOSFET
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-11-26
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Threshold voltage (VTH) is the indispensable vital parameter in MOSFET designing, modeling, and operation.
Diverse expounds and extraction methods exist to model the on-off transition characteristics of the device.
The governing gauge for efficient threshold voltage definition and extraction method can be itemized as clarity, simplicity, precision, and stability throughout the operating conditions and technology node.
The outcomes of extraction methods diverge from the exact values due to various short-channel effects (SCEs) and nonidealities present in the device.
A new approach to define and extract the real value of VTH of MOSFET is proposed in the manuscript.
The subsequent novel enhanced SCE-independent VTH extraction method named “hybrid extrapolation VTH extraction method” (HEEM) is elaborated, modeled, and compared with few prevalent MOSFET threshold voltage extraction methods for validation of the results.
All the results are verified by extensive 2D TCAD simulation and confirmed analytically at various technology nodes.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Swami, Yashu& Rai, Sanjeev. 2017. Modeling, Simulation, and Analysis of Novel Threshold Voltage Definition for Nano-MOSFET. Journal of Nanotechnology،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1184088
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Swami, Yashu& Rai, Sanjeev. Modeling, Simulation, and Analysis of Novel Threshold Voltage Definition for Nano-MOSFET. Journal of Nanotechnology No. 2017 (2017), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1184088
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Swami, Yashu& Rai, Sanjeev. Modeling, Simulation, and Analysis of Novel Threshold Voltage Definition for Nano-MOSFET. Journal of Nanotechnology. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1184088
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1184088
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر