![](/images/graphics-bg.png)
High Frequency InGaAs MOSFET with Nitride Sidewall Design for Low Power Application
المؤلفون المشاركون
Yu, Faxin
Wang, Zhiyu
Mo, J.
Chen, Hua
المصدر
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-02-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
I n x G a 1 - x A s devices have been widely researched for low power high frequency applications due to the outstanding electron mobility and small bandgap of the materials.
Regrown source/drain technology is highly appreciated in InGaAs MOSFET, since it is able to reduce the thermal budget induced by ion implantation, as well as reduce the source/drain resistance.
However, regrown source/drain technology has problems such as high parasitic capacitance and high electric field at gate edge towards the drain side, which will lead to large drain leakage current and compromise the frequency performance.
To alleviate the drain leakage current problem for low power applications and to improve the high frequency performance, a novel Si3N4 sidewall structure was introduced to the InGaAs MOSFET.
Device simulation was carried out with different newly proposed sidewall designs.
The results showed that both the drain leakage current and the source/drain parasitic capacitance were reduced by applying Si3N4 sidewall together with InP extended layer in InGaAs MOSFET.
The simulation results also suggested that the newly created “recessed” sidewall was able to bring about the most frequency favorable characteristic with no current sacrifice.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Mo, J.& Chen, Hua& Wang, Zhiyu& Yu, Faxin. 2017. High Frequency InGaAs MOSFET with Nitride Sidewall Design for Low Power Application. Journal of Sensors،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1186964
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Mo, J.…[et al.]. High Frequency InGaAs MOSFET with Nitride Sidewall Design for Low Power Application. Journal of Sensors No. 2017 (2017), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1186964
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Mo, J.& Chen, Hua& Wang, Zhiyu& Yu, Faxin. High Frequency InGaAs MOSFET with Nitride Sidewall Design for Low Power Application. Journal of Sensors. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1186964
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1186964
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)