![](/images/graphics-bg.png)
Microscopic Understanding of the Carrier Transport Process in Ge Nanocrystals Films
المؤلفون المشاركون
Xu, J.
Shan, Dan
Wang, Hongyu
Tang, Mingjun
المصدر
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-05-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Hydrogenated amorphous germanium ( a -Ge:H) films were prepared by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique.
Ge nanocrystals (Ge NCs) films were obtained by thermal annealing of the as-deposited samples at various temperatures.
P-type behavior in Ge NCs films without any external doping was attributed to the holes accumulation caused by acceptor-like surface states.
It can be found that the dark conductivity and Hall mobility reached as high as 25.6 S/cm and 182 cm2/V·s in the Ge NCs film annealed at 500°C, which were increased by over four and three orders of magnitude higher than that of the as-deposited film (1.3 × 10-3 S/cm and 0.14 cm2/V·s, resp.).
Carrier transport mechanisms of Ge NCs films association with the microstructural characteristics were investigated.
Three kinds of temperature-dependent conductivity behaviors, which exhibit the linear relationships of ln σ versus T - 1 / 4 , T - 1 / 2 , and T - 1 , respectively, were observed in the temperature regions from 10 K to 500 K, showing different microscopic mechanisms governing carrier transport in Ge NCs film.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shan, Dan& Wang, Hongyu& Tang, Mingjun& Xu, J.. 2018. Microscopic Understanding of the Carrier Transport Process in Ge Nanocrystals Films. Journal of Nanomaterials،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1193946
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shan, Dan…[et al.]. Microscopic Understanding of the Carrier Transport Process in Ge Nanocrystals Films. Journal of Nanomaterials No. 2018 (2018), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1193946
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shan, Dan& Wang, Hongyu& Tang, Mingjun& Xu, J.. Microscopic Understanding of the Carrier Transport Process in Ge Nanocrystals Films. Journal of Nanomaterials. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1193946
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1193946
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)