Analytical Study on the Influence of Parasitic Elements in a Memristor

المؤلفون المشاركون

Bologna, Mauro
Chandía, Kristopher J.
Tellini, Bernardo

المصدر

Mathematical Problems in Engineering

العدد

المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-7، 7ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2018-03-07

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

7

التخصصات الرئيسية

هندسة مدنية

الملخص EN

We study a memristive circuit with included parasitic elements, such as capacitance and inductance.

In the multiple-scale scheme, we analytically show how the parasitic elements affect the voltage and the current.

Finally, we provide an analytical expression for the intersection point coordinates, through which we discuss the functional behavior of the pinched hysteresis loop versus the operating frequency and the parasitic elements.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Chandía, Kristopher J.& Bologna, Mauro& Tellini, Bernardo. 2018. Analytical Study on the Influence of Parasitic Elements in a Memristor. Mathematical Problems in Engineering،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1206367

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Chandía, Kristopher J.…[et al.]. Analytical Study on the Influence of Parasitic Elements in a Memristor. Mathematical Problems in Engineering No. 2018 (2018), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1206367

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Chandía, Kristopher J.& Bologna, Mauro& Tellini, Bernardo. Analytical Study on the Influence of Parasitic Elements in a Memristor. Mathematical Problems in Engineering. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1206367

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-1206367