Al0.3ga0.7as-GaAs heterojunction diode analysis
المؤلفون المشاركون
Hashim, Munir A.
Muhammad, Sarah Karim
المصدر
Journal of Engineering and Sustainable Development
الناشر
الجامعة المستنصرية كلية الهندسة
تاريخ النشر
2020-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
11
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص العربي
Theoretical treatment by analysis the Al0.3Ga0.7As/
الملخص الإنجليزي
Theoretical treatment by analysis the Al0.3Ga0.7As/GaAs for long and short heterojunction diode is presented.
The analysis is started by obtaining the built-in potential from the structure of diode, then the electric field and potential distribution are attained using different concentrations.
In case of equal concentration, the maximum field is (4.32×104 V/cm) and potential with maximum peak at (1.2V), the depletion layer capacitance was also defined at applied voltage (VR) with value about (11.6x1015 F/cm2).
According to the type of doping in (P-n) heterojunction the injected minority carrier and current densities analysis are achieved when applying voltage (+0.8 V) for forward bias and (-0.8 V) for reverse bias for both long and short diode, respectively.
The value of minority carriers in n-side for both short and long diode is about (10.8X109cm-3) at forward bias.
The (I-V) characteristics for two diodes (long and short) is executed using the Drift-diffusion model.
The resulting for the (I-V) characteristics show typical exponential relationship between the applied voltage and output current in Cartesian and semi-log plots.
The complete modeling of the device is achieved by MATLAB software.
نوع البيانات
أوراق مؤتمرات
رقم السجل
BIM-1269236
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Muhammad, Sarah Karim& Hashim, Munir A.. 2020-12-31. Al0.3ga0.7as-GaAs heterojunction diode analysis. . Vol. 24, Special issue (2020), pp.475-485.Baghdad Iraq : al-Mustansyriah University College of Engineering.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1269236
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Muhammad, Sarah Karim& Hashim, Munir A.. Al0.3ga0.7as-GaAs heterojunction diode analysis. . Baghdad Iraq : al-Mustansyriah University College of Engineering. 2020-12-31.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1269236
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Muhammad, Sarah Karim& Hashim, Munir A.. Al0.3ga0.7as-GaAs heterojunction diode analysis. .
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1269236
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر